| 講演名 | 2004/6/14 SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 矢代 航, 三木 一司, 隅谷 和嗣, 高橋 敏男, 依田 芳卓, 高橋 健介, 服部 健雄, |
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| 抄録(和) | 位相敏感X線回折法という我々が開発した新しい手法により、SiO_2/Si界面付近の結晶側に数10～数100nmの深さにわたって存在する格子歪みについて調べた。Kr/O_2プラズマ酸化、700℃および900℃熱酸化によって数nmの酸化膜を形成したSi(1OO)ウェハについて、界面以下の歪みの深さ方向の分布を調べた。熱酸化した試料とKr/O_2プラズマによって酸化した試料では、界面近傍の歪みの深さ方向分布に明らかな違いがあることが分かった。また変調のプロファイルの鮮明度から、界面に平行な方向にも静的な構造揺らぎが存在することが明らかになった。 |
| 抄録(英) | The phase-sensitive X-ray diffraction (PSXD) technique, which involves modulation of the intensity of the crystal-truncation-rod (CTR) scattering under the excitation of a Bragg reflection, was applied to investigate mesoscopic-range (up to several tens of nm) strain fields under the SiO_2/Si(OO1) interface. Si wafers covered with oxide layers formed by Kr/O_2 plasma oxidation and thermal oxidation processes were used as samples, and it was shown that the distribution of strain field under the the Kr/0_2 plasma oxide layer a few nanometer thick was different from those under the thermal oxide layers very near to the interface. It was also revealed from the visibility of the modulation profile that the displacements of atomic position have static fluctuation in the direction parallel to the interface. |
| キーワード(和) | X線回折 / CTR散乱 / シリコン / 酸化 / 表面応力 / 格子歪み |
| キーワード(英) | X-ray diffraction / Crystal-truncation-rod (CTR) scattering / Silicon / oxidation / surface stress / lattice distortion |
| 資料番号 | SDM2004-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mesoscopic-range strain field under SiO_2/Si interface with using the phase-sensitive X-ray diffraction technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | X線回折 / X-ray diffraction |
| キーワード(2)（和/英） | CTR散乱 / Crystal-truncation-rod (CTR) scattering |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | 表面応力 / surface stress |
| キーワード(6)（和/英） | 格子歪み / lattice distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 矢代 航 / Wataru Yashiro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所:産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門 Nanomaterials Laboratory (NML), National Research Institute for Materials Science (MIMS) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三木 一司 / Kazushi Miki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所:産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門 Nanomaterials Laboratory (NML), National Research Institute for Materials Science (MIMS) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 隅谷 和嗣 / Kazushi Sumitani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学物性研究所 The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 敏男 / Toshio Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学物性研究所 The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 依田 芳卓 / Yoshitaka Yoda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター Japan Synchrotoron Radiation Research Institute (JASRI) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高橋 健介 / Kensuke Takahashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Musashi Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 服部 健雄 / Takeo Hattori |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Musashi Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/14 |
| 資料番号 | SDM2004-39 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |