| 講演名 | 2004/6/14 TEMトモグラフ法によるLow-k膜空孔の3次元構造の評価、および空孔構造のプロセスへ与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 島田 美代子, 島貫 純一, 大塚 信幸, 古谷 晃, 井上 靖秀, 小川 真一, |
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| 抄録(和) | TEM3次元トモグラフ法を用いてポーラスLow-k膜中空孔の実際の形状や大きさを観察すること、および定量的に評価することに成功した。この3次元観察によって、空孔の形状や連結性は空孔の形成方法によって異なることが分かった。さらに空孔の大きさや連結性は、メタルの染みこみ現象やLow-k膜内でのボイドの形成に影響することが分かった。 |
| 抄録(英) | 3-dimensional structures of pores in porous low-k films have been quantitatively observed by transmission electron microscopy (TEM) tomographic technique. The 3-dimensional reconstruction images showed that the shape and connectivity of pores depended on pore formation process in the films. These influenced on metal penetration and void formation in porous low-k films. |
| キーワード(和) | TEM / 3次元 / low-k / 空孔 / 連結性 / 染めこみ |
| キーワード(英) | TEM / 3-dimensional / low-k / pore / connectivity / penetration |
| 資料番号 | SDM2004-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/14(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TEMトモグラフ法によるLow-k膜空孔の3次元構造の評価、および空孔構造のプロセスへ与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3-Dimensional Structures of Pores in Low-k Films Observed by Quantitative TEM Tomograph and Their Impacts on Penetration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(2)（和/英） | 3次元 / 3-dimensional |
| キーワード(3)（和/英） | low-k / low-k |
| キーワード(4)（和/英） | 空孔 / pore |
| キーワード(5)（和/英） | 連結性 / connectivity |
| キーワード(6)（和/英） | 染めこみ / penetration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 島田 美代子 / Miyoko SHIMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 島貫 純一 / Junichi SHIMANUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日産アーク Nissan ARC, LTC. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大塚 信幸 / Nobuyuki OHTSUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古谷 晃 / Akira FURUYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 靖秀 / Yasuhide INOUE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日産アーク Nissan ARC, LTC. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小川 真一 / Shinichi OGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 発表年月日 | 2004/6/14 |
| 資料番号 | SDM2004-38 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
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