| 講演名 | 2004/6/14 非対称分極書き込みによる非破壊読み出し型強誘電体メモリのインプリント耐性改善(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 香山 信三, 加藤 剛久, 山田 隆善, 嶋田 恭博, |
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| 抄録(和) | 強誘電体メモリ(ferroelectric random access memory : FeRAM)において、我々は分極反転を行わずに読み出す、非破壊読み出し法(non-destructive readout : NDRO)を提案した。NDRO方式のFeRAMで読み出し信号電圧がインプリントによるP-Vヒステリシスループの歪みに対して影響を受けない非対称分極書き込み法をNDRO方式のFeRAMに導入した。この方法を用いることで、85℃でインプリントによるヒステリシスループの歪みが発生しても、FeRAMの読み出し回数が10^<16>回以上を実現できることを確認した。 |
| 抄録(英) | A non-destructive readout (NDRO) scheme excluding polarization switching from a ferroelectric random access memory (FeRAM) has been proposed as a solution for extending the number of readout cycles. In the NDRO FeRAM, however, the readout signal is so small that the NDRO operation is sensitive to deformation of the P-V hysteresis loop, which is a manifestation of imprint phenomena. In order to minimize the imprint effect, we introduced an asymmetrical polarization programming scheme. Using this scheme, we demonstrate a reliable NDRO scheme that can provide an FeRAM with an extended number of readout cycles more than 10^<16>. |
| キーワード(和) | FeRAM / 非破壊読み出し / 非対称プログラム / インプリント |
| キーワード(英) | FeRAM / non-destructive readout / asymmetrical programming / imprint |
| 資料番号 | SDM2004-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/14(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非対称分極書き込みによる非破壊読み出し型強誘電体メモリのインプリント耐性改善(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in the Readout Reliability of a Nondestructive Readout FeRAM by Asymmetrical Programming |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FeRAM / FeRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 非破壊読み出し / non-destructive readout |
| キーワード(3)（和/英） | 非対称プログラム / asymmetrical programming |
| キーワード(4)（和/英） | インプリント / imprint |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 香山 信三 / Shinzo Koyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 剛久 / Yoshihisa Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 隆善 / Takayoshi Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 嶋田 恭博 / Yasuhiro Shimada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/6/14 |
| 資料番号 | SDM2004-35 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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