| 講演名 | 2004/1/26 超臨界流体を利用した一貫メタライゼーションプロセスの可能性(低誘電率層間膜,配線材料及び一般) 近藤 英一, 菱川 正毅, 志鎌 耕一郎, |
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| 抄録(和) | 本論文では,超臨界CO_2中で,溶解している有機金属錯体を反応析出させて金属薄膜を得る技術について述べる.我々はこの方法を独自に開発し,Cuの成膜と超微細埋め込みが可能性であることを実証し,PVD法やメッキ法に変わる新しいメタライゼーション手法として提案を行っている。この手法についてCuの成膜特性を調べたところ,同一原料系を用いた熱CVDの場合とは異なっていることがわかった。たとえば,成膜の活性化エネルギーは0.42eVと熱CVDに比べて低い値であり,成膜の開始温度も低い。埋め込みの温度依存性もCVDの場合と異なっており,低温化が必ずしも埋め込み性や段差被覆性の向上にはつながらないことがわかった。埋め込み性は用いるCuプリカーサの種類にも依存する。さらに,最近新しいバリアメタルとして注目されているRuを堆積することに成功し,RuとCuの積層構造を超臨界CO_2中で作製した。これは,超臨界CO_2流体一貫プロセスによるメタライゼーションの可能性を示すものである。 |
| 抄録(英) | Supercritical carbon dioxide is of considerable interest in applying to ULSI processing. The technique described in this paper uses the supercritical carbon dioxide as a solvent for metal chelates as well as a reaction medium for thin film growth, so as to realize filling nano features with conducting metals, deposition of films, and recycling of metal precursors and CO_2. This paper demonstrates the possibilities of this technique for Cu and barrier metallization. The process conditions to achieve Cu metallization to deci-nanometer trenches or vias were studied, and the dependences on deposition temperature and on the kind of precursor were described. Ruthenium, a new candidate for the next-generation Cu barrier, was successfully deposited, and the fabrication of Cu＼Ru stacks and barrier-compatible thin Ru layers was shown. |
| キーワード(和) | 超臨界流体 / CO_2 / Cu配線 / バリアメタル / Ru |
| キーワード(英) | Supercrical fluids / Carbon dioxide / Copper Interconnects / Barrier Metal / Ruthenium |
| 資料番号 | SDM2003-223 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/1/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超臨界流体を利用した一貫メタライゼーションプロセスの可能性(低誘電率層間膜,配線材料及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Continual Metallization Processing using Supercritical Fluids |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超臨界流体 / Supercrical fluids |
| キーワード(2)（和/英） | CO_2 / Carbon dioxide |
| キーワード(3)（和/英） | Cu配線 / Copper Interconnects |
| キーワード(4)（和/英） | バリアメタル / Barrier Metal |
| キーワード(5)（和/英） | Ru / Ruthenium |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 英一 / Eiichi KONDOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山梨大学大学院 Graduate School, University of Yamanashi |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菱川 正毅 / Masaki HISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山梨大学工学部 Faculty of Engineering, University of Yamanashi |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 志鎌 耕一郎 / Koichiro SHIGAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山梨大学大学院 Graduate School, University of Yamanashi |
| 発表年月日 | 2004/1/26 |
| 資料番号 | SDM2003-223 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 638 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |