| 講演名 | 2004/1/23 Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術) 渡辺 正裕, 金澤 徹, 自念 圭輔, 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物CdF_2/CaF_2超ヘテロ構造は、共鳴トンネル伝導やサブバンド間光-電子相互作用を基本原理とし、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として有望である。 CdF_2/CaF_2の接合界面には大きな(～2.9eV)の伝導帯バンド不連続があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。これまで、基板面方位としてはシリコン(111)基板が選択されることが多く、主に表面エネルギーの観点からSi(100)基板は弗化物系材料の薄膜エピタキシャル成長に不利とされてきたが、近年、著者らは、水素終端化処理や傾斜基板のステップ制御を導入することにより、Si(100)基板上にCdF_2/CaF_2量子構造が形成可能であることを見出した。本報告では、Si(100) 2°off基板上に形成した2重障壁共鳴トンネルダイオード構造の結晶成長と、その室温微分負性特性、および、その量子井戸層厚依存性に関して議論する。 |
| 抄録(英) | Room temperature negative differential resistance of CdF_2/CaF_2 double barrier resonant tunneling diode grown on Si(100) substrate has been demonstrated. Crystal growth was carried out using Si(100) substrate with miscut angle of 2°toward <-1,-1,2> in order to control atomic steps on the substrate. CdF_2 quantum well layer thickness dependence was also discussed. |
| キーワード(和) | 弗化カルシウム / 弗化カドミウム / ヘテロ接合 / 共鳴トンネル / 微分負性抵抗特性 / シリコン |
| キーワード(英) | CdF_2 / CaF_2 / epitaxial growth / resonant tunneling / negative differential resistance / Si(100) |
| 資料番号 | SDM2003-217 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/1/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF_2/CaF_2 Resonant Tunneling Diode Grown on Si(100) Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 弗化カルシウム / CdF_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 弗化カドミウム / CaF_2 |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / epitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | 共鳴トンネル / resonant tunneling |
| キーワード(5)（和/英） | 微分負性抵抗特性 / negative differential resistance |
| キーワード(6)（和/英） | シリコン / Si(100) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科:科学技術振興機構 さきがけ Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:PRESTO-JST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金澤 徹 / Tohru KANAZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 自念 圭輔 / Keisuke JINEN |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/1/23 |
| 資料番号 | SDM2003-217 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 631 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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