| 講演名 | 2004/1/23 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術) 大野 雄高, 岸本 茂, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | カーボンナノチューブFETの特性を理解する上で、チャネルであるナノチューブのカイラリティや品質などを知ることが重要である。位置制御成長技術を用いてSiO_2/Si基板上に成長した単層ナノチューブをラマン散乱分光計測により評価するとともに、作製したナノチューブFETにおいて光電流分光解析を行った。顕微計測技術を用いることにより、ラマン散乱および光電流ともに単一ナノチューブからの信号を得ることが可能であった。ラマン信号は比較的大きなG-band/D-band強度比を示したことから、良好な品質のナノチューブが得られていると思われる。また、Radial breathing mode (RBM)からナノチューブの直径分布を調べたところ、0.9～2.3 nmであった。光電流分光においても単一ナノチューブの光電流の観測が可能であった。その励起スペクトルにファン・ホーブ特異点に起因すると思われるピークが観測され、それを用いてチャネルであるナノチューブのカイラリティを同定できる可能性を明らかにした。 |
| 抄録(英) | In order to understand characteristics of carbon nanotube FETs, it is important to know such properties of the nanotube channel as chirality, quality, and band structure. We have investigated Raman scattering spectroscopy of the SWNTs which were grown on a SiO_2/Si substrate by utilizing position-controlled growth technique, and photocurrent spectroscopy of fabricated carbon nanotube FETs. By using microscopic measurement technique, signals originating from a single SWNT were obtained in both Raman scattering and photocurrent spectroscopies. High G-band/D-band intensity ratio obtained in the Raman scattering spectrum indicated that high quality SWNTs were grown. The diameter distribution of the SWNTs was evaluated as 0.9～2.3 nm from radial breathing mode (RBM) of Raman scattering. The excitation spectrum of photocurrent showed a peak attributed to van Hove singularity. Consequently, it was possible to assign the chirality of the SWNT used as FET channel. |
| キーワード(和) | カーボンナノチューブ / FET / ラマン散乱 / 光電流 / 分光計測 / カイラリティ |
| キーワード(英) | carbon nanotube / FET / Raman scattering / photocurrent / spectroscopy / chirality |
| 資料番号 | SDM2003-216 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/1/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Using Optical Spectroscopic Techniques |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | ラマン散乱 / Raman scattering |
| キーワード(4)（和/英） | 光電流 / photocurrent |
| キーワード(5)（和/英） | 分光計測 / spectroscopy |
| キーワード(6)（和/英） | カイラリティ / chirality |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2004/1/23 |
| 資料番号 | SDM2003-216 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 631 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |