| 講演名 | 2004/1/23 GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術) 朝岡 直哉, 福光 政和, 須原 理彦, 奥村 次徳, |
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| 抄録(和) | 共鳴トンネルダイオードのRF応用において、デバイスの寄生素子成分も含めたインピーダンス特性を適正に評価することは重要である。今回GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオード(TBRTD)を作製し、6GHzまでのインピーダンスの周波数特性の印加直流電圧依存性をオンウエハで実測した。また、TBRTDの等価回路解析をおこない、デバイスパラメータを可変抵抗特性、可変容量特性として評価した。 |
| 抄録(英) | In RF application of resonant tunneling diodes, evaluating accurate RF impedance including parasitic component is important. GaInP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes (TBRTDs) were fabricated and applied DC voltage dependence of impedance up to 6GHz was measured using on wafer proving system. An equivalent circuit analysis is carried out and parameters are evaluated as variable resistance and capacitance. |
| キーワード(和) | GaInP/GaAs ヘテロ接合 / 三重障壁共鳴トンネルダイオード / RFインピーダンス測定 / RF等価回路 / 寄生素子成分 |
| キーワード(英) | GaInP/GaAs hetrostructure / triple barrier resonant tunneling diodes / RF Impedance measurement / RF equivalent circuit / parasitic component |
| 資料番号 | SDM2003-214 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/1/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of RF Impedance in GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInP/GaAs ヘテロ接合 / GaInP/GaAs hetrostructure |
| キーワード(2)（和/英） | 三重障壁共鳴トンネルダイオード / triple barrier resonant tunneling diodes |
| キーワード(3)（和/英） | RFインピーダンス測定 / RF Impedance measurement |
| キーワード(4)（和/英） | RF等価回路 / RF equivalent circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 寄生素子成分 / parasitic component |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 朝岡 直哉 / Naoya ASAOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院 工学研究科電気工学専攻 Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福光 政和 / Masakazu FUKUMITSU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院 工学研究科電気工学専攻 Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須原 理彦 / Michihiko SUHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院 工学研究科電気工学専攻 Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥村 次徳 / Tsugunori OKUMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院 工学研究科電気工学専攻 Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 発表年月日 | 2004/1/23 |
| 資料番号 | SDM2003-214 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 631 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |