| 講演名 | 2003/4/8 ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術) 河本 直哉, 増田 淳, 長谷川 勲, ファクルル アンワル, 余頃 祐介, 松尾 直人, 山野 耕治, 松村 英樹, 浜田 弘喜, 柴田 賢一, |
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| 抄録(和) | 本研究の目的はCat-CVD SiN基板上に形成されたELAによるpoly-Siの成長に関し、水素の役割を定量的に明らかにすることである。Cat-CVD SiN膜の水素濃度は2.3、4.2、8.2at%である。エネルギー密度500mJ/cm^2の場合、8.2at%のラマンピークFWHMは急激に増加し、8.2at%のスピン密度は2.3at%より大きい。これはELAによってSiNからSi中に取り込まれた水素が真空中へ突沸する際に結晶欠陥を生成する為であると考えられる。エネルギー密度318mJ/cm^2の場合、H_2濃度2.3およびH_2濃度4.2at%においてはショット数の増加に連れてΔωは急激に減少しているが、8.2at%についてはショット数に連れゆっくりと減少する。H_2濃度2.3at%のグレインサイズは4.2at%よりも大きい。これらの現象を、水素の混入と基板熱伝導率を考慮した固相成長(solid phase crystallization, SPC)モデルを用いて議論を行う。又、SiN膜からpoly-Siへの低濃度水素供給という観点からCat-CVD法の有用性に付いて触れる。 |
| 抄録(英) | In this study, we clarify the role of hydrogen in the poly-Si film on the Cat-CVD SiN film for its crystal growth by ELA. H_2 concentrations in the SiN film are 2.3, 4.2, 8.2 at%, respectively. For 500mJ/cm^2 and 8shots, Raman peak FWHM drastically increases and some of the poly-Si films disappear by H_2 burst during the ELA for 8.2at%. Spin density of 8.2at% is larger than that of 2.3at%. These results indicate that the hydrogens incorporated in the Si from SiN film during the ELA leave behind the crystal defects in the poly-Si film when they burst into vacuum. For 500mJ/cm^2, although the Δω decreases drastically with increasing the shot number for 2.3 and 4.2at%, it becomes small slowly with the shot number for 8.2at%. The grain size of 2.3at% is larger than that of 4.2at%. We discuss these results by using SPC (solid phase crystallization) model considering the incorporation of the hydrogens and the substrate thermal conductivity. The usefulness of Cat-CVD method in the ELA poly-Si field is also referred. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / エキシマ・レーザ・アニーリング / Cat-CVD / 水素 / SiN基板 / 結晶成長機構 |
| キーワード(英) | polycrystalline / Si excimer laser annealing / Cat-CVD / Hydrogen / SiN substrate / crystal growth mechanism |
| 資料番号 | ED2003-13,SDM2003-13,OME2003-13 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/4/8(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Behavior of Hydrogens in the poly-Si Film Prepaired by ELA Method : Relationship Between the Concentration of the Hydrogen Molecule in the SiN Film and Crystal growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / polycrystalline |
| キーワード(2)（和/英） | エキシマ・レーザ・アニーリング / Si excimer laser annealing |
| キーワード(3)（和/英） | Cat-CVD / Cat-CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(5)（和/英） | SiN基板 / SiN substrate |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶成長機構 / crystal growth mechanism |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / N. Kawamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Dept.Electric. & Electron. Eng., Yamaguchi Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / A. Masuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 勲 / I. Hasegawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マテリアルデバイス研究所 Materials and Devices Development Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ファクルル アンワル / Anwar Bin Abd Aziz Fakhrul |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Dept.Electric. & Electron. Eng., Yamaguchi Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 余頃 祐介 / Y. Yogoro |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / N. Matsuo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Dept.Electric. & Electron. Eng., Yamaguchi Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山野 耕治 / K. Yamano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マテリアルデバイス研究所 Materials and Devices Development Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / H. Matsumura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / H. Hamada |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マテリアルデバイス研究所 Materials and Devices Development Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 柴田 賢一 / K. Shibata |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マテリアルデバイス研究所 Materials and Devices Development Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/4/8 |
| 資料番号 | ED2003-13,SDM2003-13,OME2003-13 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 6 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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