| 講演名 | 2003/12/12 フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着(半導体Si及び関連材料・評価) 川嶋 宏之, 彦野 太樹夫, 山田 圭佑, 浦岡 行治, 山下 一郎, 冬木 隆, |
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| 抄録(和) | 我々は、ナノメーターサイズの無機材料を内包するたんぱく質を用いて、フローティングゲート型メモリーの作製を目的とした研究を行っている。今回フェリチンのSi基板上への吸着の基礎データを収集した。その結果、フェリチンのシリコン酸化膜への吸着に関して、濃度と滴下してからの放置時間に依存することが確かめられた。さらに遠心機を用いることにより、全面に均一で高密度なフェリチン2次元結晶を得ることが可能であることがわかった。また、疎水性基板では親水性基板と比べて吸着量に大きな違いがみられ、基板上にフェリチンを高密度に吸着させるためには基板表面が親水性の必要があることがわかった。これらの基礎データから、酸化膜パターンによるフェリチンのSi基板への高密度選択的吸着の可能性が示された。 |
| 抄録(英) | The target of this work is fabricating Floating-Gate-Memory with protein which contains iron core. Up to now, we have achieved 2-dimensional crystal of ferritin on a substrate using PBLH(Poly-l-Benzyl-L-Histidine) film. However this method requires organic molecule film of PBLH and HMDS( 1,1,1,3,3,3-hexamethyl-disilazane). In this study, we investigated direct adsorption of ferritin to Si substrate. We have obtained two dimensional nano-dot adlayer on Si substrate with high density. We discussed the possibility of patterning of nano-dot array. |
| キーワード(和) | フローティングゲートメモリー / フェリチン / 合成ポリペプチド説法 / ナノスケールデバイス |
| キーワード(英) | floating gate memory / ferritin / PBLH / nano scale device |
| 資料番号 | SDM2003-194(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct adsorption of ferritin to Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フローティングゲートメモリー / floating gate memory |
| キーワード(2)（和/英） | フェリチン / ferritin |
| キーワード(3)（和/英） | 合成ポリペプチド説法 / PBLH |
| キーワード(4)（和/英） | ナノスケールデバイス / nano scale device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川嶋 宏之 / Hiroyuki KAWASHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology(NAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 彦野 太樹夫 / Takio HIKONO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology(NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 圭佑 / Keisuke YAMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology(NAIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology(NAIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山下 一郎 / Ichiro YAMASHITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社先端技術研究所 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Advanced Technology Research Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi FUYUKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology(NAIST) |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-194(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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