| 講演名 | 2003/12/12 シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価) 池田 浩也, ヌルヤディ ラトノ, 石川 靖彦, 田部 道晴, |
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| 抄録(和) | 二次元的に敷き詰められたシリコン多重量子ドット構造をチャネルに持つ電界効果トランジスタを作製し、その電気的特性について光照射効果を中心に研究を行った。その結果、いくつかの試料において単正孔トンネル特性に対する光照射効果が観察された。すなわち、クーロン振動に起因した電流ピークにおいて、光照射により新しいピークの生成やピーク位置のシフトが起こる。等価回路を用いたモンテカルロシミュレーションの結果、これらの現象は、光照射による電流経路近傍のシリコンドット内正孔数の減少により生じることが示された。光励起された電子が基板からドットに注入され、正孔と再結合することにより正孔数が減ずるものと考えられる。 |
| 抄録(英) | We have investigated the illumination effects on Coulomb blockade (CB) characteristics of Si two-dimensional multi-dot field-effect transistors. Some of the transistors exhibit remarkable changes in their CB characteristics for single-hole tunneling by the illumination, i.e., the generation of a new Coulomb oscillation peak and/or the gate-voltage shift. The photoinduced phenomena can be commonly explained by a model that the light illumination supplies an additional electron to a dot adjacent to the CB current percolation path. Monte Carlo simulation for an equivalent circuit based on the above model can reproduce the experimental characteristics. |
| キーワード(和) | 多重量子ドット / 光照射効果 / 単正孔トンネル / クーロン振動 / モンテカルロシミュレーション |
| キーワード(英) | Quantum Multidot / Illumination Effect / Single Hole Tunneling / Coulomb Oscillation / Monte Carlo Simulation |
| 資料番号 | SDM2003-192(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoinduced Effects on Single-Charge Tunneling in a Silicon Multidot Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多重量子ドット / Quantum Multidot |
| キーワード(2)（和/英） | 光照射効果 / Illumination Effect |
| キーワード(3)（和/英） | 単正孔トンネル / Single Hole Tunneling |
| キーワード(4)（和/英） | クーロン振動 / Coulomb Oscillation |
| キーワード(5)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo Simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 浩也 / Hiroya IKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ヌルヤディ ラトノ / Ratno NURYADI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko ISHIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田部 道晴 / Michiharu TABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-192(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |