| 講演名 | 2003/12/12 シリコン界面ナノ制御による光電極動作のシミュレーション(半導体Si及び関連材料・評価) 八木 俊樹, 浦岡 行治, 冬木 隆, |
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| 抄録(和) | 太陽光による水分解デバイスの基礎となる光電気化学電池において光電極部分の動作は非常に重要である。その光電極部分を最適化するために、2次元デバイスシミュレータを用いて解析をおこなった。その光電極部分はシリコン表面にナノレベルの白金電極をつけたショットキーモデルである。そして、デバイスシミュレータを用いて、電極の大きさ、電極の間隔を変化させた時にデバイスの動作特性がどのように変化するかを調べた。さらに、デバイス表面のバンド状態を変化させた場合での動作特性も解析した。その結果、デバイス表面のバンド状態を変化させることは開放電庄に非常に有効であることが分かった。 |
| 抄録(英) | It is very important to understand the behavior of photo electrode in photoelectrochemical cell which is basic part in water decomposition devices. In order to optimize the part of photo electrode, we performed two dimensional device simulation. For that part, we proposed a Schottky model consisted with nona-scale Pt on Si surface. Electric performance was analyzed with the variation of size or interval of electrode using device simulator. Further, we discussed the case when the band structure in the device surface was varied. Results obtained by this analysis suggested that band variation in the device surface is very useful for an open circuit voltage. |
| キーワード(和) | 光電気化学電池 / シリコン / ナノ / 白金 / ショットキー / 2次元シミュレーション |
| キーワード(英) | Photoelectrochemical cell / Silicon / nano / Platinum / Schottky / 2-D simulation |
| 資料番号 | SDM2003-191(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン界面ナノ制御による光電極動作のシミュレーション(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Simulation of Photo Electrode in Silicon Interface by Nano-Scale Control |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電気化学電池 / Photoelectrochemical cell |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ / nano |
| キーワード(4)（和/英） | 白金 / Platinum |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキー / Schottky |
| キーワード(6)（和/英） | 2次元シミュレーション / 2-D simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 八木 俊樹 / Toshiki YAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi FUYUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-191(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |