| 講演名 | 2003/12/12 SOI基板上SiGe/Siを用いて作製したマイクロオリガミ構造の評価(半導体Si及び関連材料・評価) 坂野 佳久, 森 大輔, 徳田 崇, 太田 淳, 布下 正宏, 久保田 和芳, / 田村 修一, / 斎藤 信雄, |
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| 抄録(和) | SOI基板上SiGe/Siを用いたマイクロオリガミ構造の作製を行った。SOI基板上に形成したSi/SiGe系歪構造を、SOI基板のBOX層を犠牲層としてリリースすることに成功した。マイクロオリガミ構造におけるヒンジ部の曲率半径は歪に依存し、マイクロオリガミ技術を用いて精密な3次元MEMS構造を作製するには歪量制御が必要となる。本研究では、SiGe層のGe量、膜厚を変化させることで歪量の異なるマイクロチューブを作製し、それらをレーザラマン分光法により評価を行った。また、ヒンジ部と平坦部の作り分けも試みた。 |
| 抄録(英) | A "micro-origami" structure was fabricated with SiGe/Si heteroepitaxial layers grown on a SOI substrate. As a sacrificial layer in the micro-origami process, the BOX layer of a SOI substrate was etched in the process. The fabrication of microtubes, and a hinge & plate structure were successfully demonstrated. The strain in the epitaxial structures in micro-origami was characterized by a laser raman spectroscopy. |
| キーワード(和) | SOI基板 / MEMS / SiGe/Si / マイクロオリガミ / レーザラマン分光法 / 駆動 |
| キーワード(英) | SOI substrate / MEMS / SiGe/Si / Micro-origami / Laser raman Spectroscopy / drive |
| 資料番号 | SDM2003-188(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI基板上SiGe/Siを用いて作製したマイクロオリガミ構造の評価(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of SiGe/Si micro-origami structure fabricated on SOI substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI基板 / SOI substrate |
| キーワード(2)（和/英） | MEMS / MEMS |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe/Si / SiGe/Si |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロオリガミ / Micro-origami |
| キーワード(5)（和/英） | レーザラマン分光法 / Laser raman Spectroscopy |
| キーワード(6)（和/英） | 駆動 / drive |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂野 佳久 / Yoshihisa SAKANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 大輔 / Daisuke MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徳田 崇 / Takashi TOKUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 太田 淳 / Jun Ohta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 布下 正宏 / Masahiro NUNOSHITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 久保田 和芳 / Kazuyoshi KUBOTA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ATR適応コミュニケーション研究所 ATR Adaptive Communications Research Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | / 田村 修一 / Pablo O. Vaccaro |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ATR適応コミュニケーション研究所 ATR Adaptive Communications Research Laboratories |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | / 斎藤 信雄 / Syuichi TAMURA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ATR適応コミュニケーション研究所 ATR Adaptive Communications Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-188(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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