| 講演名 | 2003/12/12 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価) 宮迫 毅明, 妹尾 賢, 徳光 永輔, |
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| 抄録(和) | 強誘電体メモリ(FeRAM)は,不揮発性,低消費電力,高速動作が可能なメモリとして注目されている.中でも,Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜を使用したキャパシタ型のFeRAMは,現在最も実用化が進んでおり,更なる膜特性の改善が求められている.本研究では,PZT薄膜に着目し,仮焼成を減圧雰囲気下で行うことにより,PZT薄膜の電気的特性の改善を試みた.これにより,PZT薄膜の残留分極量(Pr=35μC/cm^2),抗電界(Ec=64kV/cm),飽和特性,矩形性,リーク電流などの強誘電特性をいずれも著しく改善することに成功した. |
| 抄録(英) | In these years, Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) has attracted much attention as non-volatile, low power and high speed memory. In particular, capacitor-type FeRAM with Pb(Zr, Ti)O_3(PZT) thin film is the most widely studied and now commercially available. In this research, we have fabricated PZT thin films using low-pressure consolidation process in sol-gel method. Drastic improvement of electrical properties such as remenent polarization, coercive field, saturation property, squareness, and leakage current have been obtained for the PZT thin films fabricated with low-pressure consolidation process. |
| キーワード(和) | PZT薄膜 / ゾルゲル法 / 強誘電体メモリ / FeRAM |
| キーワード(英) | PZT thin films / sol-gel method / FeRAM / low-pressure consolidation |
| 資料番号 | SDM2003-186(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Low-Pressure Consolidation Process on Electrical Properties of Sol-Gel Derived PZT Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | PZT薄膜 / PZT thin films |
| キーワード(2)（和/英） | ゾルゲル法 / sol-gel method |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体メモリ / FeRAM |
| キーワード(4)（和/英） | FeRAM / low-pressure consolidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮迫 毅明 / Takaaki MIYASAKO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratry, Tokyo Institute ofTechnology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 妹尾 賢 / Masaru SENOO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratry, Tokyo Institute ofTechnology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / Eisuke TOKUMITSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所IT21センター Precision and Intelligence Laboratry, Tokyo Institute ofTechnology:IT21 Center RIEC Tohoku Univ. |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-186(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |