| 講演名 | 2003/12/12 チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果(半導体Si及び関連材料・評価) 山口 正樹, 増田 陽一郎, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上に有機金属分解(MOD)法によりシリコン(Si)添加チタン酸ビスマス(Bi_4Ti_3O_<12>)薄膜の形成を行い,その特性変化について検討を行った.Si無添加膜ではペロブスカイト単相模は得られなかった.ペロブスカイト型結晶のc軸配向膜を得るためには,Si元素を添加することが有効である.しかし,過剰添加により結晶性は劣化する傾向が認められた.堆積膜の絶縁特性は,過剰添加により絶縁耐圧が著しく低下した,これは薄膜構造の変化によるものと考えられる.また,過剰添加により強誘電特性が劣化することを確認した. |
| 抄録(英) | Silicon (Si) doped bismuth titanate (Bi_4Ti_3O_<12>) thin films were formed on (100)-oriented silicon wafers derived by metal organic decomposition (MOD) method. In the conventional MOD method, it is necessary to carry out the high temperature processes. In contrast, silicon doped Bi_4Ti_3O_<12> thin film exhibit highly c-axis oriented. However, crystallinity and electrical properties were heavy doped film degrade by heavily silicon doping. |
| キーワード(和) | チタン酸ビスマス / シリコン添加 / 有機金属成長法 / 薄膜 |
| キーワード(英) | Bismuth titanate / silicon doping / metal-organic decomposition method / thin films |
| 資料番号 | SDM2003-185(2003-12) |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Silicon Doped Bismuth Titanate Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | チタン酸ビスマス / Bismuth titanate |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン添加 / silicon doping |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属成長法 / metal-organic decomposition method |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / thin films |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 正樹 / Masaki Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学工学部電気工学科:芝浦工業大学先端工学研究機構 Department of Electrical Engineering, Shibaura Institute of Technology:Research Organization for Advanced Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 陽一郎 / Yoichiro Masuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 八戸工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical Engineering, Hachinohe Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-185(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |