| 講演名 | 2003/12/12 水素ラジカル励起と高密度・低ポテンシャルプラズマを用いた低温ポリシリコン成膜技術 : 成長初期段階の結晶化シリコン成膜・評価技術(半導体Si及び関連材料・評価) 桐村 浩哉, 久保田 清, 高橋 英治, 岸田 茂明, 緒方 潔, 北島 浩司, 浦岡 行治, 冬木 隆, |
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| 抄録(和) | 結晶性シリコン(μc-Si:H)直接成膜法として、低ポテンシャルで高密度のシランプラズマを形成できるSide-Wall電極型PECVD成膜装置を開発し、SiO_2膜上に原子状水素(ラジカル)励起を利用したシリコン核形成のステップとシランプラズマを用いて低温下(400℃)でμc-Si:H 膜を堆積させる2段階ステップの成膜手法の研究を行った。この成膜法を用いて成長界面領域から高い結晶性を有するシリコン膜の形成が可能であることをTEM、UV-Raman分光法で評価し、さらにTFT特性から求めた電子移動度の結果からその有効性を立証した。 |
| 抄録(英) | For direct-deposition methods of microcrystalline silicon, we have developed the plasma enhanced CVD system which makes silane plasmas with high density and low potential. We have researched the two-step deposition process which consists of the silicon nucleation-step using atomic hydrogen (radicals) and the microcrystalline growth-step using silane plasmas at low temperature. In this research, we have estimated that silicon films are crystallized from interface of SiO2 substrate by TEM and UV-Raman analysis. Furthermore the results of electron-mobility from TFT characteristics have proved that this method have an effect on direct-deposition of microcrystalline silicon. |
| キーワード(和) | マイクロクリスタルシリコン / シランプラズマ / 核形成 / 原子状水素 / TFT移動度 |
| キーワード(英) | Microcrystalline silicon / Silane plasma / Nucleation / Atomic hydrogen / TFT-mobility |
| 資料番号 | SDM2003-183(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素ラジカル励起と高密度・低ポテンシャルプラズマを用いた低温ポリシリコン成膜技術 : 成長初期段階の結晶化シリコン成膜・評価技術(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The deposition of low-temperature poly crystalline silicon by effects of hydrogen radicals and high density / low potential plasma Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロクリスタルシリコン / Microcrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | シランプラズマ / Silane plasma |
| キーワード(3)（和/英） | 核形成 / Nucleation |
| キーワード(4)（和/英） | 原子状水素 / Atomic hydrogen |
| キーワード(5)（和/英） | TFT移動度 / TFT-mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 桐村 浩哉 / Hiroya KIRIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社技術開発研究所 R & D Laboratories, Nissin Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保田 清 / Kiyoshi KUBOTA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社技術開発研究所 R & D Laboratories, Nissin Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 英治 / Eiji TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社技術開発研究所 R & D Laboratories, Nissin Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸田 茂明 / Shigeaki KISHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社技術開発研究所 R & D Laboratories, Nissin Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 緒方 潔 / Kiyoshi OGATA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社技術開発研究所 R & D Laboratories, Nissin Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 北島 浩司 / Koji KITAJIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi FUYUKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-183(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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