| 講演名 | 2003/12/12 SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価) 河本 直哉, 松尾 直人, 浜田 弘喜, 原田 泰典, |
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| 抄録(和) | 固相成長(solid phase crystallization, SPC)の後エキシマ・レーザ・アニーリング(excimer laser anneal, ELA)、及びELAの後SPCを行うことにより形成された多結晶Si(polycrystalline-Si, poly-Si)の結晶性について調べた。内部応力の緩和がELAの前後にSPCを行うことにより生じた。また、欠陥密度はELAのみELAの後SPC、SPCの後ELAの順で小さくなった。590℃のSPCを300分行った後ELAを行うことにより低内部応力かつ低欠陥密度のpoly-Siを実現した。 |
| 抄録(英) | The crystallinity of polycrystalline Si (poly-Si) produced by the combined method of solid phase crystallization (SPC) followed by excimer laser annealing (ELA) or ELA followed by SPC is examined. The tensile stress relaxation occurred by performing the SPC before or after ELA. Defect densities of poly-Si films which are recrystallized by ELA, ELA followed by SPC and SPC followed by ELA decrease in that order. By performing SPC at 590℃ for 350minutes followed by ELA, poly-Si film with low stress and low defect density was realized. |
| キーワード(和) | 多結晶Si / エキシマ・レーザ・アニーリング / 固相成長 / 結晶成長機構 |
| キーワード(英) | polycrystalline Si / excimer laser annealing / solid phase crystallization / crystal growth mechanism |
| 資料番号 | SDM2003-182(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of polycrystalline Si prepared by combined method of SPC followed by ELA |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶Si / polycrystalline Si |
| キーワード(2)（和/英） | エキシマ・レーザ・アニーリング / excimer laser annealing |
| キーワード(3)（和/英） | 固相成長 / solid phase crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶成長機構 / crystal growth mechanism |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / N. Kawamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / N. Matsuo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Department of Material Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / H. Hamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所BU Materials and Devices Development Center BU, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 原田 泰典 / Y. Harada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Department of Material Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-182(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |