| 講演名 | 2003/12/12 多結晶シリコンヘイオンドーピングされたドーパントの低温活性化(半導体Si及び関連材料・評価) 鮫島 俊之, 安藤 伸行, 安東 靖典, |
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| 抄録(和) | 多結晶シリコン薄膜にドーピングされたリン原子およびボロン原子の活性化を酸素プラズマ260℃で行った。酸素プラズマ処理で電気伝導率は、リンドーピング、ドーズ量1,0×10^<14>cm^<-2>の場合、7.3S/cmに、ポロンドーピング、ドーズ量1.6×10^<15>cm^<-2>の場合、110S/cmに上昇した。活性化率はリン原子、ボロン原子それぞれ21%、15%と見積もられた。 |
| 抄録(英) | Phosphorus and boron atoms implanted in laser crystallized polycrystalline silicon films by ion doping method were activated by oxygen plasma treatment at 260℃. The oxygen plasma treatment increased the electrical conductivity to 7.3S/cm for 1.0×10^<14>cm^<-2> phosphorus doping and to 110S/cm for 1.6×l0^<15>cm^<-2> boron doping. Activation ratio after 260℃ treatments was estimated to 21 and 15% for phosphorus and boron doping case, respectively. |
| キーワード(和) | 低温活性化 / 酸素プラズマ / イオンドーピング |
| キーワード(英) | Low temperature / oxygen plasma / ion doping |
| 資料番号 | SDM2003-181(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多結晶シリコンヘイオンドーピングされたドーパントの低温活性化(半導体Si及び関連材料・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Activation of dopant atoms doped to polycrystalline silicon by ion doping method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温活性化 / Low temperature |
| キーワード(2)（和/英） | 酸素プラズマ / oxygen plasma |
| キーワード(3)（和/英） | イオンドーピング / ion doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鮫島 俊之 / Toshiyuki Sameshima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安藤 伸行 / Nobuyuki Andoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安東 靖典 / Yasunori Andoh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日新イオン機器 Nissin Ion Equipment. Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-181(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |