| 講演名 | 2003/12/12 [Invited Paper] Low Temperature Gate Dielectrics for Organic Thin-Film Transistors on Plastic Substrates , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The physical and electrical properties of hafnium silicate (HfSi_xO) films produced by low temperature processing conditions (〓150°C) suitable for flexible display applications were studied using sputter deposition and ultraviolet generated ozone treatments. Films with no detectable low-κ interfacial layer were produced. Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), and High Resolution Transmission Electron Microscopy (HR-TEM) were used to determine the composition, chemical bonding environment, thickness, and film interface. The electrical behavior of the as-deposited and annealed silicate films were determined by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) easurements. The electrical performance of the Organic Thin Film Transistors (OTFTs) prepared by the low temperature processing HfSi_xO_y gate oxide will also be reported. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | High-κ gate dielectrics / hafnium silicate / stacked structure gate oxide / organic thin film transistors |
| 資料番号 | SDM2003-179(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Paper] Low Temperature Gate Dielectrics for Organic Thin-Film Transistors on Plastic Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / High-κ gate dielectrics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Prakaipetch Punchaipetch |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Materials Science, University of North Texas Denton |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | SDM2003-179(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 533 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |