| 講演名 | 2003/5/9 カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 小林 貴行, 井上 勉, 岡田 浩, 藤村 洋平, 若原 昭浩, 滝川 浩史, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | カーボンナノチューブ(CNT)の基板面内方向での位置制御を行うための金属触媒構造を提案した。化学気相堆権限(CVD)による、CNT成長において、触媒金属(Ni)と不活性膜を組み合わせ、触媒金属の電極間にCNTを成長させる成長条件を検討した。成長温度や材料ガス流量の成長条件の検討をすることによってCNT以外の余分なカーボンの生成が抑制された。また、一本のCNTの低温から室温における電流一電圧特性の評価を行い、CNTはP型の半導体的な振る舞いを観測した。また、低温領域においては高抵抗化していく傾向が見られた。 |
| 抄録(英) | We proposed metal catalyst structure to achieve a lateral direction growth of Carbon Nano Tube (CNT). Growth conditions of CNT by chemical vapor deposition (CVD) such as flow rate of source gases and temperature, were investigated. Single CNT across two electrodes was obtained with higher growth temperature and small gas flow. From electrical characterization of CNT, P-type semiconductor like behavior of CNT was observed. Resistance of CNT become higher in lower temperature. |
| キーワード(和) | カーボンナノチューブ / 金属触媒 / 位置制御形成 / 触媒CVD法 / 電気特性 |
| キーワード(英) | carbon nano tube / metal catalyst / position controlled formation / catalytic CVD / electrical properties |
| 資料番号 | ED2003-45,CPM2003-44,SDM2003-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/5/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of lateral direction growth of carbon nano tube |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nano tube |
| キーワード(2)（和/英） | 金属触媒 / metal catalyst |
| キーワード(3)（和/英） | 位置制御形成 / position controlled formation |
| キーワード(4)（和/英） | 触媒CVD法 / catalytic CVD |
| キーワード(5)（和/英） | 電気特性 / electrical properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 貴行 / Takayuki KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 勉 / Tutomu INOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤村 洋平 / Youhei HUJIMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 滝川 浩史 / Kouji TAKIGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira YOSHIDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2003/5/9 |
| 資料番号 | ED2003-45,CPM2003-44,SDM2003-45 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 51 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |