| 講演名 | 2003/5/9 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 李 輝宰, 今田 明範, 藤原 淳志, 江村 修一, 長谷川 繁彦, 朝日 一, |
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| 抄録(和) | インターネットの急速な普及・拡大による通信容量の増大に対応するために波長分割多重光通信方式の重要性が高まっている。この方式においては,多数の波長を信号伝送に用いるために発振波長の温度変化がない半導体レーザが強く望まれている。このようなレーザを実現する可能性のある方法としては,そのバンドギャップが温度によりあまり変化しない,あるいは,通常の半導体とは逆の温度依存性を持つ半導体材料を創製レそれを半導体レーザの活性層に用いることである.筆者はそのような温度無依存発振波長レーザ用半導体として、タリウム系III-V族新説晶半導体を提案し,その結晶成長可能性の検討から始め,物性・特性評価,そしてデバイス試作検討を行ってきた。これまでに,そのフォトルミネセンス発光ピーク波長,発光ダーオードからの発光ビーク波長が共に極めて小さな温度依存性を示すことを確認した。更に室温レーザ発振を達成レ縦モード波長の温度変化が0.06 nm/KとInGaAsP/InP DFB レーザの0.1 nm/Kより安定であることを確認した。 |
| 抄録(英) | In order to fabricate the temperature-insensitive wavelength laser diodes (LDs), which are important in the WDM optical fiber communication system, we have studied the TlInGaAs/InP heterostructures. TlInGaAs/InP metal-stripe LDs were fabricated with gas source MBE. Current injection pulsed laser operation was obtained up to 31OK. Threshold current density and lasing wavelength at room temperature were 7 kA/cm2 and 1660 nm, respectively. We have observed the small temperature variation of the peak wavelength of 0.06nm/K at narrow temperature range, while at wide temperature range it was about 0.3 nm/K. Both values are smaller than those for InGaAsP/InP DFB LDs and Fabry-Perot (FP) LDs. Respectively.CW operation was also obtained at 77K with a threshold current density of 0.25 kA/cm^2. |
| キーワード(和) | レーザ / WDM / MBE / DFB |
| キーワード(英) | Laser diodes / WDM / MBE / DFB |
| 資料番号 | ED2003-39,CPM2003-38,SDM2003-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/5/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the Temperature-independent Lasing Wavelength Semiconductor Laser Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザ / Laser diodes |
| キーワード(2)（和/英） | WDM / WDM |
| キーワード(3)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(4)（和/英） | DFB / DFB |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 李 輝宰 / H.I Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今田 明範 / A Imada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 淳志 / A Fujiwara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江村 修一 / S Emura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 長谷川 繁彦 / S Hasegawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 朝日 一 / H Asahi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 発表年月日 | 2003/5/9 |
| 資料番号 | ED2003-39,CPM2003-38,SDM2003-39 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 51 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |