| 講演名 | 2003/5/9 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 河村 裕一, 天野 政信, 大内 一浩, 井上 直久, |
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| 抄録(和) | 2μm帯レーザを目的としたInGaAsSb系材料のMBE成長を行い、光学的特性を評価した。またこの材料系を用いた量子井戸レーザを作製し、低温でのレーザ発振を実現した。 |
| 抄録(英) | Molecular beam epitaxial growth and characterization of InGaAsSb quantum well structures on InP are described. Laser operation using this material system was obtained at low temperature. |
| キーワード(和) | 2μm帯レーザ / InGaAsSb / InP / 分子線成長 |
| キーワード(英) | 2μm wavelength laser / InGaAsSb / InP / molecular beam epitaxy |
| 資料番号 | ED2003-38,CPM2003-37,SDM2003-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/5/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InGaAsSb Quantum well structures on InP for lasers operating at 2μm wavelength region |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2μm帯レーザ / 2μm wavelength laser |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAsSb / InGaAsSb |
| キーワード(3)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線成長 / molecular beam epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河村 裕一 / Yuichi KAWAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 先端科学研究所 RIAST, Osaka Prefecture University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 天野 政信 / Masanobu AMANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 先端科学研究所 RIAST, Osaka Prefecture University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大内 一浩 / Kazuhiro OUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 先端科学研究所 RIAST, Osaka Prefecture University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 直久 / Naohisa INOUE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 先端科学研究所 RIAST, Osaka Prefecture University |
| 発表年月日 | 2003/5/9 |
| 資料番号 | ED2003-38,CPM2003-37,SDM2003-38 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 51 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |