| 講演名 | 2003/5/9 GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 吉兼 豪勇, 小泉 淳, 藤原 康文, 浦上 晃, 井上 堅太郎, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 全有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によって作製されたGalnP/GaAs界面は、AsとP原子の置換やInのメモリ効果により、良質なヘテロ界面を得ることは困難である。77Kにおけるフオトルミネツセンス(PL)測定において、GaAsバンド端より長波長側にブロードな発光が観測される。この発光はGaInP上に成長されたGaAs界面に起因しており、成長温度を550℃以下にすることで消失した。界面の成長温度を540℃としたGalnP/GaAs/GalnPレーザの閥値電流密度は、界面を580℃で成長したレーザよりも低く、素子間のばらつきも小さいことが分かった。 |
| 抄録(英) | It is well known that high-quality GaAs/GaInP interfaces are difficult to be grown by organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE), because a lower-bandgap interlayer is formed because of the intermixing of P and As atoms at the heterointerfaces and/or In memory effect. 77K photoluminescence (PL) measurements revealed that a broad peak due to the interlayer, appearing at around 900 nm, originates from a GaAs-on-GaInP interface. The interlayer-related PL peak is suppressed completely by growing the GaAs-on-GalnP interface at temperatures 550°C or below. By applying this sequence for GaInP/GaAs/GaInP laser diodes, threshold current density is lower and more uniform than that of the higher growth temperature diodes. |
| キーワード(和) | フォトルミネッセンス / レーザダイオード / GaAs / GalnP / ヘテロ界面 |
| キーワード(英) | photoluminescence / laser diode / GaAs / GalnP / heterointerface |
| 資料番号 | ED2003-37,CPM2003-36,SDM2003-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/5/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth sequence dependence of threshold current density in GaInP/GaAs/GaInP laser diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | レーザダイオード / laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | GalnP / GalnP |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ界面 / heterointerface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉兼 豪勇 / Taketoshi YOSHIKANE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小泉 淳 / Atsushi KOIZUMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Yasufomi FUJIWARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浦上 晃 / Akira URAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 堅太郎 / Kentaro INOUE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2003/5/9 |
| 資料番号 | ED2003-37,CPM2003-36,SDM2003-37 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 51 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |