| 講演名 | 2003/9/22 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般) 中森 靖彦, 小宮 健治, 大村 泰久, |
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| 抄録(和) | 極薄ゲート絶緑眼へ波動関数浸透がC-V特性に与える影響を考察するため、MOS界面近傍のキャリア分布の理論的なモデルを検討した。かなり精度の高い電子濃度分布の解析的な表現を得る事ができた。これを用いて、界面が多数キャリアの蓄積状態にある場合についてC-V特性をシミュレーションし、従来のシリコン酸化膜とhigh-k材料の差異・特徴について考察した。High-k材料の方が、動関数浸透が顕著であるために、MOS界面近傍でのキャリアのクーロン散乱が顕著に現れやすいことが明らかと成った。 |
| 抄録(英) | We propose an analytical expression of electron distribution function inside silicon and SiQ_2 film in the surface-accumulation condition to simulate capacitance of MOS system. We assume three-dimensional electron gas system and discuss the penetration of electron wave function into SiQ_2 or high-k materials film. It is demonstrated that penetration of wave functions into the insulator film slightly influences C-V characteristics. It is also demonstrated that the penetration of wave function of high-k materials is deeper than that of SiO_2 film for identical equivalent oxide thickness (EOT). |
| キーワード(和) | 極薄絶縁膜 / MOSFET / 波動関数 / 浸透 / C-V特性 / 高誘電率材料 |
| キーワード(英) | Ultra-thin oxide films / MOSFET / Wave function penetration / C-V characteristic / high-k materials |
| 資料番号 | VLD2003-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/9/22(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Physics-Based Analytical Model of Quantum-Mechanical Electron Wave Function Penetration into Thin Dielectric Films for Capacitance Evaluation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極薄絶縁膜 / Ultra-thin oxide films |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 波動関数 / Wave function penetration |
| キーワード(4)（和/英） | 浸透 / C-V characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | C-V特性 / high-k materials |
| キーワード(6)（和/英） | 高誘電率材料 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中森 靖彦 / Yasuhiko NAKAMORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kansai University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小宮 健治 / Kenji KOMIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学ハイテクリサーチセンタ High-Technology Research Center, Kansai University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大村 泰久 / Yasuhisa OMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 関西大学ハイテクリサーチセンタ High-Technology Research Center, Kansai University |
| 発表年月日 | 2003/9/22 |
| 資料番号 | VLD2003-56 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 338 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |