| 講演名 | 2003/8/15 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) 新居 浩二, 今岡 進, 吉澤 知晃, 塚本 康正, 牧野 博之, 山上 由展, 鈴木 利一, 柴山 晃徳, 岩出 秀平, |
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| 抄録(和) | 微細化技術が進みゲート絶縁膜が薄膜化するにつれてゲートトンネルリーク電流が顕在化してくる。そこで、待機時のSRAMのゲートリーク電流を低減する設計手法を提案する。セル電源線のDCレベルをローカルに制御して非活性ブロックのゲートリークを低減する。また周辺回路で支配的なワード線ドライバの回路を工夫しゲートリーク電流を減らす。32KB SRAMマクロを90nm CMOSテクノロジを用いて試作した結果、スタンバイリーク電流は室温1.2Vで1.2uAを達成し、従来に比べて約1桁低減できた。 |
| 抄録(英) | In sub100 nm generation, gate tunneling leak current increases and dominates total standby leak current of LSI based on decreasing gate oxide thickness. We propose reducing gate leak current in SRAM using Local DC Level Control (LDLC) and an Automatic Gate Leakage Suppression Driver (AGLSD) to reduce gate leak current in the peripheral circuit. We designed and fabricated a 32KB 1-port SRAM using 90 nm CMOS technology. Evaluation shows that the standby current of 32KB SRAM is 1.2 uA at 1.2 V and room temperature. It is reduced to 7.5 % of conventional SRAM. |
| キーワード(和) | SRAM / 低消費電力 / ゲートリーク電流 / スタンバイ |
| キーワード(英) | SRAM / Low power / Gate leakage / Stand-by |
| 資料番号 | SDM2003-141,ICD2003-74 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/8/15(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 90 nm Low Power 32K-Byte Embedded SRAM with Gate Leakage Suppression Circuit for Mobile Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートリーク電流 / Gate leakage |
| キーワード(4)（和/英） | スタンバイ / Stand-by |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji Nii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今岡 進 / Susumu Imaoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスデバイスデザイン Renesas Device Design Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉澤 知晃 / Tomoaki Yoshizawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牧野 博之 / Hiroshi Makino |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山上 由展 / Yoshinobu Yamagami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 鈴木 利一 / Toshikazu Suzuki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 柴山 晃徳 / Akinori Shibayama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 岩出 秀平 / Shuhei Iwade |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学情報科学部 Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/8/15 |
| 資料番号 | SDM2003-141,ICD2003-74 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 260 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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