| 講演名 | 2003/6/25 [Invited]Issues for high density MRAM(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Key attributes of MRAM technology are known as non-volatility with high speed and density, radiation hardness, unlimited endurance. A lot of results have been announced for commercial market. And it is anticipated that MRAM will play an important role in future memory market through its unique, functional advantages. For high density MRAM as a standalone memory, several issues related with MRAM core cells should be preferentially solved. The topic will cover basic issues of sub-micron MRAM core cell and consider the work related to the MRAM issues, such as cell stability and switching process. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MRAM(Magneto-resistive Random Access Memory) / MTJ(Magnetic Tunnel Junction) / Selectivity / Switching process |
| 資料番号 | ED2003-101,SDM2003-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/6/25(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited]Issues for high density MRAM(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MRAM(Magneto-resistive Random Access Memory) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Taewan Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Samsung Advanced Institute of Technology, MD Lab |
| 発表年月日 | 2003/6/25 |
| 資料番号 | ED2003-101,SDM2003-112 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 164 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |