講演名 2003/6/25
パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
水谷 孝, 大野 雄高, 岩附 伸也, 岸本 茂, 岡崎 俊也, 篠原 久典,
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抄録(和) SiO_2/Si基板上にパターニングした金属触媒を用いて熱CVD法によりカーボンナノチューブ(CNT)の位置制御成長を行うとともに、これを用いてナノチューブFETの作製を行った。触媒にはCoとPtの二層金属を用い、熱CVDの原料ガスにはエタノールとアルゴンの混合ガスを用いた。作製したCNT FET はp型伝導を示し、良好なピンチオフ特性を示した。 FETの歩留りは76%であった。また室温においてクーロン振動を観察した。
抄録(英) Position-controlled Carbon nanotube field effect transistors (FETs) have been fabricated by using patterned metal catalysts and chemical vapor deposition. A double-layer metal of platinum and cobalt was used as the catalyst. Using a mixture of ethanol and argon as the source gas was effective in growing high-quality CNTs. FETs showed good I_D-V_ characteristics. Coulomb oscillation was observed near the threshold voltage at room temperature. 76% of the fabricated devices showed FET operation. The I_D-V_ characteristics of FETs with metallic nanotubes were improved by breaking down metallic CNT at high voltage.
キーワード(和) カーボンナノチューブ / FET / 触媒パターニング / 位置制御
キーワード(英) Carbon Nanotube / FET / Patterned Catalyst / Position control
資料番号 ED2003-99,SDM2003-110
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2003/6/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 ENG
タイトル(和) パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Carbon Nanotube FETs Fabricated on Patterned Metal Catalyst for Position Control(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) カーボンナノチューブ / Carbon Nanotube
キーワード(2)(和/英) FET / FET
キーワード(3)(和/英) 触媒パターニング / Patterned Catalyst
キーワード(4)(和/英) 位置制御 / Position control
第 1 著者 氏名(和/英) 水谷 孝 / Takashi Mizutani
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学工学研究科
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
第 2 著者 氏名(和/英) 大野 雄高 / Yutaka Ohno
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学工学研究科
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
第 3 著者 氏名(和/英) 岩附 伸也 / Shinya Iwatsuki
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学工学研究科
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
第 4 著者 氏名(和/英) 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学工学研究科
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
第 5 著者 氏名(和/英) 岡崎 俊也 / Toshinari Okazaki
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋大学理学研究科
R&D Division, Department of Chemistry, Nagoya University
第 6 著者 氏名(和/英) 篠原 久典 / Hisanori Shinohara
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋大学理学研究科
R&D Division, Department of Chemistry, Nagoya University
発表年月日 2003/6/25
資料番号 ED2003-99,SDM2003-110
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 164
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日