| 講演名 | 2003/6/25 Structural and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots using atomic layer epitaxy technique for the application of optical communication(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We report structural and optical properties of In_<0.5>Ga_<0.5>As/GaAs quantum dots grown by atomic layer epitaxy (ALE) technique with atomic force microscope, transmission electron microscope and photoluminescence measurement. The ALE dots are grown with repeated periods of 1 mono-layer of InAs and GaAs. All reported ALE dots show 300 K-PL spectrum, and 1.276μm (FWHM:32.3 meV) of 300 K-PL peak was obtained in case of 7 periods of In_<0.5>Ga_<0.5>As ALE dots in a 100 A-thick In_<0.1>Ga_<0.9>As well. Dependence of growth temperature on the properties of ALE dots is also reported. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Atomic layer epitaxy / InGaAs / Quantum dots / PL / TEM / AFM |
| 資料番号 | ED2003-98,SDM2003-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/6/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structural and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots using atomic layer epitaxy technique for the application of optical communication(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Atomic layer epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / J. D. SONG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Nano-device Research Center, Korea Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2003/6/25 |
| 資料番号 | ED2003-98,SDM2003-109 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 164 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |