講演名	2003/6/25 A Simple Parameter Extraction Method for a Single Electron Transistor(SET)(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) ,
PDFダウンロードページ	PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英)	In this paper, a simple parameter extraction method for a nearly symmetric single electron transistor(SET) is proposed and the accuracy of the extraction method is investigated with Monte-Carlo simulation. Based on peak values(V_, V_ ) of output voltages measured from the inverter circuit with a SET and a resistor, the analytic expression for the parameter extraction of the SET has been developed. It is verified that the extracted parameters of SET using new extraction method are within 5% from Monte-Carlo method. The advantage of the method proposed here in comparison with stability diagram method is that tunnel resistance can be extracted. The tunnel resistances for a nearly symmetric SET can be extracted if the capacitances are known from stability diagram. In the case of a symmetric SET, the total capacitances and tunnel resistances can be obtained without constructing stability diagram
キーワード(和)
キーワード(英)	Single electron Transistor / Stability diagram / Monte-Carlo Method / Parameter extraction method
資料番号	ED2003-96,SDM2003-107
発行日

研究会情報
研究会	SDM
開催期間	2003/6/25(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語	ENG
タイトル（和）
サブタイトル（和）
タイトル（英）	A Simple Parameter Extraction Method for a Single Electron Transistor(SET)(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	/ Single electron Transistor
第 1 著者 氏名（和/英）	/ Bong-Hoon Lee
第 1 著者 所属（和/英）	Division of Electrical and Computer Engineering, Pohang University of Science and Technology
発表年月日	2003/6/25
資料番号	ED2003-96,SDM2003-107
巻番号（vol）	vol.103
号番号（no）	164
ページ範囲	pp.-
ページ数	4
発行日