講演名 | 2003/6/23 Reverse-Order Source/Drain with Double Offset Spacer (RODOS) for Sub-5Onm Low-Power and High-Speed MOSFET Design(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | We have proposed RODOS (Reverse-Order source/drain formation with Double Offset Spacer) for low power and high speed. Simulation is done to evaluate its potential. It shows enhanced performance in terms of poly-depletion effect, DC characteristics, gate delay and switching energy. At 50nm channel length, it demonstrates 794μA/μm in on-current, O.lnA/μm in off-current, 65mV/V in DIBL, 80mV/dec in SS, 1.29ps in gate delay, 198GHz in f_T and 0.151fJ in switching energy. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | RODOS / reverse-order / double offset spacer |
資料番号 | ED2003-74,SDM2003-85 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2003/6/23(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
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タイトル(英) | Reverse-Order Source/Drain with Double Offset Spacer (RODOS) for Sub-5Onm Low-Power and High-Speed MOSFET Design(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / RODOS |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Woo Young Choi |
第 1 著者 所属(和/英) | Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and School of Electrical Engineering, Seoul National University |
発表年月日 | 2003/6/23 |
資料番号 | ED2003-74,SDM2003-85 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 162 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |