講演名 2003/6/23
Reverse-Order Source/Drain with Double Offset Spacer (RODOS) for Sub-5Onm Low-Power and High-Speed MOSFET Design(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
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抄録(和)
抄録(英) We have proposed RODOS (Reverse-Order source/drain formation with Double Offset Spacer) for low power and high speed. Simulation is done to evaluate its potential. It shows enhanced performance in terms of poly-depletion effect, DC characteristics, gate delay and switching energy. At 50nm channel length, it demonstrates 794μA/μm in on-current, O.lnA/μm in off-current, 65mV/V in DIBL, 80mV/dec in SS, 1.29ps in gate delay, 198GHz in f_T and 0.151fJ in switching energy.
キーワード(和)
キーワード(英) RODOS / reverse-order / double offset spacer
資料番号 ED2003-74,SDM2003-85
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2003/6/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Reverse-Order Source/Drain with Double Offset Spacer (RODOS) for Sub-5Onm Low-Power and High-Speed MOSFET Design(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / RODOS
第 1 著者 氏名(和/英) / Woo Young Choi
第 1 著者 所属(和/英)
Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and School of Electrical Engineering, Seoul National University
発表年月日 2003/6/23
資料番号 ED2003-74,SDM2003-85
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 162
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日