| 講演名 | 2003/6/23 Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ) 野口 隆, |
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| 抄録(和) | Si MOS およびSOIトランジスタ応用に対しての紫外光レーザーアニールによる接合形成技術に関して述べる。 Si LSI 中のサブ0.1μm MOS トランジスタでは、十分なオン電流を確保し短チャネル効果を抑えるために、低抵抗の超浅接合が要求される。Siこ対して高い吸収をもつ均一なビームによるエキシマレーザーアニールは、TFTを用いるAM-FPDにおいてと同様に、Siマイクロエレクトロニクスにおいても浅い接合ドーピングプロセスとして期待される。また、活性化したSi表面を非接触で評価できる有効な方法を提案し述べる。 |
| 抄録(英) | UV (Ultra-Violet) laser annealing and relating subject is discussed for the application to Si MOS and SOI (Silicon on Insulator) transistors. In Si LSI, USJ (Ultra-Shallow Junction) of low sheet resistance is required in sub-0.1μm MOS transistors in order to suppress a SCE (Short Channel Effect) with keeping high on current. ELA (Excimer Laser Annealing) by a uniform energy beam having high absorption rate for silicon layer in UV region is expected as a doping process for the USJ in Si micro-electronics as well as for AM-FPD using TFT. Correspondingly, an effective non-contact analysis for the activated thin junction layer without giving the damage to the Si surface is proposed and is discussed. |
| キーワード(和) | 浅い接合 / MOS / SOI / UV / エキシマレーザー |
| キーワード(英) | USJ / MOS / SOI / UV / Excimer laser |
| 資料番号 | ED2003-65,SDM2003-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/6/23(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shallow Junction formed by UV Pulsed Laser Annealing for Si Micro-Electronics(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 浅い接合 / USJ |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | UV / UV |
| キーワード(5)（和/英） | エキシマレーザー / Excimer laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 隆 / Takashi NOGUCH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成均館大学校情報通信工学部 : 三星総合技術院 School of Information and Communication Engineering, Sungyunkwan University : SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology) |
| 発表年月日 | 2003/6/23 |
| 資料番号 | ED2003-65,SDM2003-76 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 162 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |