| 講演名 | 2003/6/23 Junction Leakage Characteristics of Shallow Trench Isolation (STI) with Nitrogen Pile-Up Sidewall Oxide(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In spite of the several advantages of shallow trench isolation (STI) compared with local oxidation of silicon (LOCOS), higher junction leakage current induced by mechanical stress imposes the limitation to the scaled device. In this paper, we have proposed the shallow trench isolation with nitrogen pile-up sidewall oxide and analyzed its junction leakage characteristics. In the case of nitrogen dose of 5.0x10^<14>cm^<-2>, good junction leakage characteristics could be obtained. For the detection of process-related bulk traps, deep level transient spectroscopy (DLTS) measurement was performed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | STI / nitrogen pile-up oxidation / junction leakage current / Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) |
| 資料番号 | ED2003-64,SDM2003-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Junction Leakage Characteristics of Shallow Trench Isolation (STI) with Nitrogen Pile-Up Sidewall Oxide(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / STI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Myeong Won Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and School of Electrical Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2003/6/23 |
| 資料番号 | ED2003-64,SDM2003-75 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 162 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |