| 講演名 | 2003/3/11 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用) 山口 正樹, 増田 陽一郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 有機金属分解(MOD)法において原料溶液を交互に塗布することにより,チタン酸ビスマス(Bi_4Ti_3O_<12>)薄膜をシリコン基板上に形成した.通常法では,高温焼成が必要であったが,原料の交互供給を行ない,結晶処理前に元素配列を人為的に作成することで,薄膜形成温度の低下を実現した.表面微細構造の検討から,薄膜/基板界面に存在するBi元素が,結晶核形成に有効に寄与しているものと思われる. |
| 抄録(英) | Bismuth titanate (Bi_4Ti_3O_<12>) thin films were formed on (100)-oriented silicon wafers derived by alternately supplying metal organic decomposition (MOD) method In the conventional MOD method, it is necessary to carry out the high temperature processes. In contrast, the element was artificially made before the crystallized process by the alternately supplying method. From the experimental result, it was clarified that the alternately supplying method is possible to lower the crystallized temperature of a thin film fabrication. |
| キーワード(和) | チタン酸ビスマス / 原料交互供給 / 有機金属性長法 / ビスマスシリケート / 薄膜 |
| キーワード(英) | Bismuth titanate / alternately supplying method / metal-organic decomposition method / bismuth silicate / thin films |
| 資料番号 | SDM2002-273 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/3/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Physical Properties of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Supplying MOD Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | チタン酸ビスマス / Bismuth titanate |
| キーワード(2)（和/英） | 原料交互供給 / alternately supplying method |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属性長法 / metal-organic decomposition method |
| キーワード(4)（和/英） | ビスマスシリケート / bismuth silicate |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / thin films |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 正樹 / Masaki Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 工学部 電気工学科:芝浦工業大学 先端工学研究機構 Department of Electrical Engineering, Shibaura Institute of Technology:Research Organization for Advanced Engineering, Shibaura Institute of Technology:Research Organization for Advanced Engineering, Shibaura Institute of Technology:Research Organization for Advanced Engineering, Shibaura Institute of Technology:Research Organization for Advanced Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 陽一郎 / Yoichiro Masuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electrical Engineering, Hachinohe Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/3/11 |
| 資料番号 | SDM2002-273 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 732 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |