| 講演名 | 2002/10/22 半導体材料の電気伝導度に関する計算化学的検討 横須賀 俊之, 磯田 直征, 篠田 克己, 草谷 友規, 三浦 隆治, 遠藤 明, 久保 百司, 今村 詮, 藪原 秀彦, 牧野 伸顕, 宮本 明, |
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| 抄録(和) | 半導体デバイスにおいて層間配線のバリアとして用いられているTiN中にTiOやTiOFなどの不純物膜が存在することで膜の抵抗等が変化することが報告されている.しかし,TiN膜の抵抗変化の割合,膜特性の変化などに関してはほとんど明らかにされていない.更なる歩留まり向上のためには,これらの現象に関する詳細な知見を得ることが重要と考えられる.そこで本研究では,当研究室で新たに開発した高速化量子分子動力学プログラム"colors"を用いて,TiN,TiNO,TiOのバンド構造を計算し,検討を行なった. |
| 抄録(英) | TiN film has widely been employed as a diffusion barrier layer in semiconductor devices due to its excellent barrier properties. However, recent reports indicate the presence of impurities such as TiO and TiON on the surface, which greatly affect the performance of the devices. The effect of such impurities on the electronic conductivity is not yes understood clearly. In order to understand the influence of these impurity materials on the electronic conductivity of TiN, in this investigation, we performed a systematic study on the band structure of TiN, TiO and TiON by our newly developed accelerated quantum chemical molecular dynamics program "Colors ". |
| キーワード(和) | TiN / 高速化量子分子動力学法 / 電気伝導度 |
| キーワード(英) | TiN / Accelerated Quantum Chemical Molecular Dynamics Method / Electronic Conductivity |
| 資料番号 | SDM2002-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/10/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体材料の電気伝導度に関する計算化学的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Studies of Electronic Conductivity of Semiconductor Materials |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TiN / TiN |
| キーワード(2)（和/英） | 高速化量子分子動力学法 / Accelerated Quantum Chemical Molecular Dynamics Method |
| キーワード(3)（和/英） | 電気伝導度 / Electronic Conductivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横須賀 俊之 / Toshiyuki YOKOSUKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 磯田 直征 / Naoyuki ISODA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 篠田 克己 / Katsumi SASATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 草谷 友規 / Tomonori KUSAGAYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三浦 隆治 / Ryuji MIURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 遠藤 明 / Akira ENDOU |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 久保 百司 / Momoji KUBO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 今村 詮 / Akira IMAMURA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 広島国際学院大学工学部 Department of Mathematics, Faculty of Engineering, Hiroshima Kokusai Gakuin University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 藪原 秀彦 / Hidehiko YABUHARA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝生産技術センター Toshiba Corporation, Corporate Manufacturing Engineering Center |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 牧野 伸顕 / Nobuaki MAKINO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)東芝生産技術センター Toshiba Corporation, Corporate Manufacturing Engineering Center |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Akira MIYAMOTO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室:東北大学未来センター Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University:New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2002/10/22 |
| 資料番号 | SDM2002-200 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 416 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
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