| 講演名 | 2002/10/21 超臨界流体による低誘電率絶縁膜の改質効果 : Ash/Cleanプロセスによる膜ダメージの更正技術 松岡 孝明, Toma Dorel, |
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| 抄録(和) | 配線における寄生抵抗と容量はデバイスの信号遅延に大きく影響を与える為、多層配線における層間絶縁膜の低誘電率化要求は世代を追うに連れ強くなっている。が、低誘電率を実現するために膜自身の密度を下げる事により、多層配線構造形成プロセス、所謂インテグレーションにおける様々な問題が発生しており、未だ実用化の目処は立っていない。Etch/Ash/Cleanによる膜ダメージとそれに伴う吸湿による誘電率上昇は、機械強度低下に伴う膜破壊・膜はがれと並び最大のインテグレーション上での課題の一つであるが、我々は、超臨界状態中でHMDSなど所謂疎水化を促進する材料を添加することにより、Ash後の吸湿した膜の改質が可能かどうかの確認を試みた。本報告では実際の評価結果を紹介する。 |
| 抄録(英) | The Lower Dielectric Constant is seriously required because of the RC delay impact on the device signal speed and for the lowering power consumption. However, the lower density film for lower dielectric constant induce the various process integration problems. For instance, post Etch/Ash process damage/increasing dielectric constant of the film to be the one of the biggest issue. In this paper, we describe the effect of dielectric constant recovery by the SCCO2 with HMDS on the porous ultra low-k dielectric film. |
| キーワード(和) | 超臨界流体 / 二酸化炭素 / 低誘電率絶縁膜 / 誘電率上昇 / 疎水化 |
| キーワード(英) | Super Critical CO2 / Ultra Low-k dielectrics / Increasing dielectric constant / hydrophobic |
| 資料番号 | SDM2002-195 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/10/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超臨界流体による低誘電率絶縁膜の改質効果 : Ash/Cleanプロセスによる膜ダメージの更正技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The SCCO2 effect for ultra low-k dielectrics film modification : The SCCO2 process effect for the recovery of Etch/Ash damage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超臨界流体 / Super Critical CO2 |
| キーワード(2)（和/英） | 二酸化炭素 / Ultra Low-k dielectrics |
| キーワード(3)（和/英） | 低誘電率絶縁膜 / Increasing dielectric constant |
| キーワード(4)（和/英） | 誘電率上昇 / hydrophobic |
| キーワード(5)（和/英） | 疎水化 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松岡 孝明 / Takaaki MATSUOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 Tokyo Electron Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Toma Dorel / Dorel TOMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンアメリカ株式会社 Tokyo Electron America, Inc. |
| 発表年月日 | 2002/10/21 |
| 資料番号 | SDM2002-195 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 415 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |