| 講演名 | 2002/10/21 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価 河瀬 和雅, 若尾 和年, 谷村 純二, 井上 真雄, 梅田 浩司, 黒川 博志, |
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| 抄録(和) | H終端Siと非酸化性雰囲気昇温を用いて成長したゲート絶縁膜のリーク電流は,SiO_2表面もしくはO_2を含む雰囲気で昇温した場合より低い。我々は,非酸化性ガス雰囲気昇温された,H終端Siウエハ表面の状態を調査した。有機汚染との反応によりSiCが形成することが明らかになった。このSiCは熱酸化やHF処理によっても除去されなかった。TDS及びXPSを用いた温度依存性の評価から,SiCの形成は500℃付近におけるH脱離と密接な関係があることが明らかになった。500℃付近では,H脱離で生成したダングリングボンドがダイマーを形成できないため非常に活性になる。一方,有機汚染は非酸化性雰囲気では燃焼されない。ダングリングボンドと有機汚染が反応し,SiCが形成されるため,ゲート絶縁膜のリーク電流が高くなると考えられる。 |
| 抄録(英) | The leak current of the gate dielectric grown with both H-terminated silicon surface and non-oxidizing gas annealing is higher than that with silicon oxide surface or O_2-containing atmosphere annealing. We have investigated the chemical state of Si surface terminated by hydrogen and annealed in non-oxidizing gas atmosphere. It has clear that SiC is formed by the reaction with organic contamination on silicon surface. SiC was not decomposed by thermal oxidation or HF treatment. It has revealed that SiC formation closely relate to the hydrogen desorption at around 500 ℃ by the investigation of temperature dependence with XPS and TDS. At around 500 ℃, silicon surface become extremely active because dangling bonds generated by hydrogen desorption are not able to form dimers. On the other hand, organic contamination dose not burn in non-oxidizing gas. The leak current of this gate dielectrics would be high because SiC is formed by the reaction of dangling bonds and organic contamination. |
| キーワード(和) | 炭化シリコン / 水素 / クリーンルーム / 汚染 / 脱離 / X線光電子分光法 |
| キーワード(英) | SiC / hydrogen / cleanroom / contamination / desorption / XPS |
| 資料番号 | SDM2002-189 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | XPS study of H-terminated silicon surface annealed in non-oxidizing atmosphere |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化シリコン / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 水素 / hydrogen |
| キーワード(3)（和/英） | クリーンルーム / cleanroom |
| キーワード(4)（和/英） | 汚染 / contamination |
| キーワード(5)（和/英） | 脱離 / desorption |
| キーワード(6)（和/英） | X線光電子分光法 / XPS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河瀬 和雅 / Kazumasa Kawase |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機先端総研 Advanced Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若尾 和年 / Kazutoshi Wakao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷村 純二 / Junji Tanimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機先端総研 Advanced Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 真雄 / Masao Inoue |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梅田 浩司 / Hiroshi Umeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 黒川 博志 / Hiroshi Kurokawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機先端総研 Advanced Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2002/10/21 |
| 資料番号 | SDM2002-189 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 415 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |