| 講演名 | 2004/4/16 InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性) 竹下 達也, 須郷 満, 東盛 裕一, |
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| 抄録(和) | AR端面側光出射領域のOBIC強度をモニタし、0.98μm帯InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化機構を解析した。突発故障はCODにより生じたことを確認し、端面劣化がCOD劣化を支配するだけではなく、通電電流増加率を上げ摩耗故障も支配することがわかった。 |
| 抄録(英) | Facet degradation mechanisms of a 980-nm InGaAs/GaAs strained-layer quantum-well laser are analyzed by monitoring the optical-beam induced current. Sudden failure during aging is due to catastrophic optical damage. It is clarified that the behavior of defects around the facets governs the long-term stability as well as catastrophic-optical damage generation during operation. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / レーザ信頼性 / エイジング / 端面劣化 / 光励起電流 / OBIC |
| キーワード(英) | Semiconductor laser / Laser reliability / Aging / Facet degradation / Optical beam induced current / OBIC |
| 資料番号 | R2004-6,CPM2004-6,OPE2004-6 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2004/4/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Facet degradation behavior of InGaAs/GaAs strained-layer quantum-well lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ信頼性 / Laser reliability |
| キーワード(3)（和/英） | エイジング / Aging |
| キーワード(4)（和/英） | 端面劣化 / Facet degradation |
| キーワード(5)（和/英） | 光励起電流 / Optical beam induced current |
| キーワード(6)（和/英） | OBIC / OBIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹下 達也 / Tatsuya TAKESHITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須郷 満 / Mitsuru SUGO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 東盛 裕一 / Yuichi TOHMORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2004/4/16 |
| 資料番号 | R2004-6,CPM2004-6,OPE2004-6 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 26 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |