| 講演名 | 2003/8/28 n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般) 武山 真弓, 野矢 厚, 橋詰 保, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | n-InPに対する熱的に安定でかつ低コンタクト抵抗のオーミック電極を実現するため、Al-Mo合金電極をその候補として検討を行った。その結果、Al-Mo電極は合金組成の変化に伴い、その電気的特性も変化し、極めてAl-richなAl_<0.9>Mo_<0.1>合金膜を用いた場合においてのみ、オーミック特性を示すことがわかった。その要因についてさらに詳しく検討したところ、この組成においてのみ電極のAlがInP基板方向へ拡散するという現象に基づくものであることが推察された。すなわち、拡散したAlがInとの置換反応を生じ、界面に10nm以下の格子歪みを有するAlInP層が形成されることで、得られたAlInP層とInP基板との界面に不連続量の非常に小さなバンドラインナップが実現され、オーミック特性が得られるものと推察された。また、そのようなAlとInとの置換反応が熱処理前の状態で容易に生じる要因の一つとして、Al_<12>Mo化合物の前駆体ともなるAl-Mo結合がAlを3価の状態に導くような電子状態をとることにあることが示唆された。 |
| 抄録(英) | We have investigated an Al_xMo_<1-x> alloy as an ohmic electrode material to obtain a thermally stable ohmic electrode with low contact resistance. The novel metallization scheme of Al_<0.9>Mo_<0.1>/n-InP demonstrated an ohmic characteristic without regard to annealing. It was found that the ohmic behavior was correlated to the diffusion of Al with Mo into the InP substrate, forming thin AlInP layer at the InP interface. A simple estimation using the model-solid theory predicted a small band discontinuity between InP and the strained AlInP layer. This is one of possible reasons for the observed ohmic characteristics. It was also suggested that Al-Mo bonds forming the Al_<12>Mo intermetallic compound or its precursor proceed the exchange reaction between Al and In atoms into the InP substrate. |
| キーワード(和) | InP / オーミックコンタクト / Al-Mo合金 / 格子歪み |
| キーワード(英) | InP / ohmic contact / Al-Mo alloy / lattice distortion |
| 資料番号 | R2003-39,ED2003-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2003/8/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ohmic Contact Mechanism of Al-Mo Alloy Electrode to n-InP Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | オーミックコンタクト / ohmic contact |
| キーワード(3)（和/英） | Al-Mo合金 / Al-Mo alloy |
| キーワード(4)（和/英） | 格子歪み / lattice distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2003/8/28 |
| 資料番号 | R2003-39,ED2003-117 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 275 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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