| 講演名 | 2002/11/8 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討 三口 宗彦, 片岡 資晴, 中野 真治, 和田 哲明, |
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| 抄録(和) | 半導体デバイスのESD試験は人体帯電モデル(代替試験としてマシンモデル)とデバイス帯電系モデルに大別される。デバイス帯電系モデルについては日本では水銀リレーを用いた放電方法(JEITA規格試験法)が参考規格として基準化されており、米国では放電プレートを用いた気中放電方法(JEDEC規格試験法)が基準化されている。一般的にデバイス帯電系モデルでのデバイスのESD耐量は充電電圧で示されるが、今回、デバイスのESD耐量が放電波形のピーク電流値に依存することを確認し、放電方法に関係なくピーク電流により基準化可能であることを見出したので報告する。 |
| 抄録(英) | The ESD testing method of the semiconductor device is classified broadly into Human Body Model (Machine Model as alternative test) and Charged Device Model. Regarding Charged Device Model, the discharge method using a mercury relay is standardized in Japan as JEITA standard. On the other hand, the aerial discharge method using a discharge plate is standardized in U.S. as JEDEC standard. Generally, charging voltage represents the ESD immunity for the Charged Device Model. In this paper, we clarified that ESD failure was strongly depended on the peak current (Ip) value of discharge waveform, not discharge method or charging voltage. And we indicated the future direction of standardization by applying this result. |
| キーワード(和) | ESD / CDM / FICDM |
| キーワード(英) | ESD / CDM / FICDM |
| 資料番号 | R2002-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2002/11/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of ESD Examination Method for Charged Device Model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ESD / ESD |
| キーワード(2)（和/英） | CDM / CDM |
| キーワード(3)（和/英） | FICDM / FICDM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三口 宗彦 / Munehiko MIGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 品質技術グループ Matsushita Electronics Industry Semiconductor Corporation Quality Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 片岡 資晴 / Yoshiharu KATAOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 品質技術グループ Matsushita Electronics Industry Semiconductor Corporation Quality Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中野 真治 / Shinji NAKANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 品質技術グループ Matsushita Electronics Industry Semiconductor Corporation Quality Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 和田 哲明 / Tetsuaki WADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 品質技術グループ Matsushita Electronics Industry Semiconductor Corporation Quality Laboratory |
| 発表年月日 | 2002/11/8 |
| 資料番号 | R2002-37 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 454 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |