| 講演名 | 2004/1/14 フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 小山 明夫, 會田 辰洋, 渡邊 圭紀, 山下 寛樹, 白水 信弘, 伊藤 雅広, 千葉 博之, 高橋 毅, |
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| 抄録(和) | 遮断周波数140GHzのSiGe BiCMOS プロセスを用いて、次世代光通信規格である40-43Gb/s動作の16:1多重(マルチプレクサ)および1:16分離(デマルチプレクサ)LSIを開発した。本LSIは40-43GHzのフルレートクロックで動作させることで、ジッタの発生を抑制し、高い受信感度を実現している。また、16パラレルに分離された2.5-2.7Gb/s低速パラレル側のインタフェースには、OIFのSFI-5機能を搭載することで、業界標準の電気インタフェースを実装し、フレーアや順方向エラー訂正(FEC)プロセッサとの接続性・互換性を高めた。以上の機能を、16:1マルチプレクサ、1:16デマルチプレクサ、SFI-5インタフェースの3種のLSIと、40GHzの外付けVCOにより実現した。 |
| 抄録(英) | A chipset for 40-43Gb/s optical communication systems that function as 16:1 multiplexer (MUX) and 1:16 demultiplexer (DMUX) is developed using SiGe BiCMOS technology with 140GHz fT. This chipset employs a full-rate architecture with 40-43GHz clock distribution that contributes to suppressing jitter generation and realizing higher sensitivity. The 16 parallel interface operating at 2.5-2.7Gb/s is designed with implementation of industry standard OIF SFI-5 functionality to enhance the compatibility of this chipset with various types of Framers and FEC processors. The chipset is comprised of three LSIs, i.e., 16:1 MUX, 1:16 DMUX, and SFI-5, together with a pair of external 40GHz VCOs for MUX and DMUX. |
| キーワード(和) | マルチプレクサ / デマルチプレクサ / SerDes / 40Gb/s / フルレートクロツク / SiGe BiCMOS |
| キーワード(英) | Multiplexer / Demultiplexer / SerDes / 40Gb/s / Full-Rate-Clock / SiGe BiCMOS |
| 資料番号 | MW2003-248 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2004/1/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Full-Rate-Clock 40-43Gb/s 16:1 Multiplexer and 1:16 Demultiplexer LSIs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マルチプレクサ / Multiplexer |
| キーワード(2)（和/英） | デマルチプレクサ / Demultiplexer |
| キーワード(3)（和/英） | SerDes / SerDes |
| キーワード(4)（和/英） | 40Gb/s / 40Gb/s |
| キーワード(5)（和/英） | フルレートクロツク / Full-Rate-Clock |
| キーワード(6)（和/英） | SiGe BiCMOS / SiGe BiCMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小山 明夫 / Akio KOYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所デバイス開発センタ Hitachi, Ltd., Device Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 會田 辰洋 / Tatsuhiro AIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所デバイス開発センタ Hitachi, Ltd., Device Development Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡邊 圭紀 / Keiki WATANABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所デバイス開発センタ Hitachi, Ltd., Device Development Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山下 寛樹 / Hiroki YAMASHITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 白水 信弘 / Nobuhiro SHIRAMIZU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 雅広 / CHIBA Hiroyuki / |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 千葉 博之 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)日立超LSIシステムズ Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高橋 毅 |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)日立超LSIシステムズ Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/1/14 |
| 資料番号 | MW2003-248 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 563 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |