| 講演名 | 2004/1/12 マイクロストリップライン構造液晶デバイスの過渡応答時間特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 齊藤 勝彦, 内藤 亮, 亀井 利久, 内海 要三, |
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| 抄録(和) | ネマティック液晶材料をマイクロ波帯でのアダプティブ回路に適用する場合,材料選択の指針の1つとして重要なのが液晶の配向制御用電圧印加に対する応答時間特性である.本論文ではマイクロストリップライン構造の液晶デバイスにおいて,中心導体真下以外の領域における液晶分子のバイアス電圧に対する不完全配向とそれに基づく応答時間の増加を,ITOガラスで製作したマイクロストリップライン構造の液晶装荷光学セルの偏光顕微鏡による動画撮影比より測定している.動画の各フレームを比較し,定常状態となる飽和値を測定することにり液晶分子の立ち上がりおよび立ち下がり時間を決定する方法を提案している. |
| 抄録(英) | Applying the nematic liquid crystal materials to the microwave adaptive devices, it is important to measure the characteristics of the response time v.s. the bias voltage controling the alignment of the liquid crystal molecules as one of indicators of the material's selection. In this paper, an imperfect alignment of liquid crystal molecules except just under the center conductor and an increment of the response time caused to this are measured by taking an animated picture of the microstrip-line type paralleled nematic liquid crystal cells. The method of defining the rise time and the decay time by measuring the saturation values of the response time in which the molecules' alignments become to the steady state, is proposed. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / ネマティック液晶 / 過渡応答時間特性 / パラレルネマティック |
| キーワード(英) | microwave / nematic liquid crystal / transition response time performance / paralleled nematic |
| 資料番号 | MW2003-232 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2004/1/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マイクロストリップライン構造液晶デバイスの過渡応答時間特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transition performance of response time for microstrip-line type liquid crystal devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | ネマティック液晶 / nematic liquid crystal |
| キーワード(3)（和/英） | 過渡応答時間特性 / transition response time performance |
| キーワード(4)（和/英） | パラレルネマティック / paralleled nematic |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齊藤 勝彦 / Katsuhiko SAITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 防衛大学校通信工学科 Department of Communications Engineering, National Defense Academy |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内藤 亮 / Ryo NAITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 防衛大学校通信工学科 Department of Communications Engineering, National Defense Academy |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 亀井 利久 / Toshihisa KAMEI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 防衛大学校通信工学科 Department of Communications Engineering, National Defense Academy |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内海 要三 / Yozo UTSUMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 防衛大学校通信工学科 Department of Communications Engineering, National Defense Academy |
| 発表年月日 | 2004/1/12 |
| 資料番号 | MW2003-232 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 561 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |