| 講演名 | 2003/12/19 温度特性を考慮した大信号モデルを用いたKu帯15W高効率内部整合FET 森 一富, 大塚 浩志, 辻 聖一, 小芦 佳宏, 酒井 雄二, 清野 清春, 末松 憲治, 高木 直, |
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| 抄録(和) | 温度特性を考慮した大信号モデルを用いてKu帯15W高効率内部整合FETを開発した.高出力に加えて高効率,高利得な特性を得るため,抽出した大信号モデルを用いて各温度に対する最適な整合条件を求めた.また,高利得化のため,12セルで構成される1チップHFETを4つの3セルHFETに分けるとともに,広帯域化のため入力側の1段目のインピーダンス変成器の最適化を行った.試作の結果,周波数14.2GHz,ベース温度Tb=40degCにおいて, P1dB=41.8dBm(15W),効率37.5%,Tb=-15～100度においてP1dB=41.4dBm,効率33.8%の良好な特性が得られたので報告する. |
| 抄録(英) | Ku-band high efficiency high power internal-matched FET has been developed by using the large signal FET model including the thermal model. In order to achieve high efficiency and high gain in addition to high power the optimum impedances at each temperature are obtained by using the extracted large signal FET model. In order to achieve high gain, 12 FET cells on a single chip are divided four parts of three FET cells and are matched respectively. The characteristic impedances of the input impedance transformer are optimized to achieve high gain in broadband. The developed Ku-band internal-matched FET achieves PldB of 41.8dBm(15W) and PAE of 37.5% at 14.2GHz and base temperture Tb of 40degC and also achieves PldB over 41.4dBm and PAE over 33.8% at Tb from -15 to lOOdegC. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / 増幅器 / 大信号モデル / 内部整合FET |
| キーワード(英) | Microwave / Amplifier / Large signal model / Thermal model / Internally-Matched FET / HFET |
| 資料番号 | MW2003-216 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2003/12/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 温度特性を考慮した大信号モデルを用いたKu帯15W高効率内部整合FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Ku-Band High Efficiency High Power Internal-Matched GaAs FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 大信号モデル / Large signal model |
| キーワード(4)（和/英） | 内部整合FET / Thermal model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / K MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大塚 浩志 / H OHTSUKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 辻 聖一 / S TSUJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小芦 佳宏 / Y KOASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ミヨシ電子株式会社 Miyoshi Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 酒井 雄二 / Y SAKAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 清野 清春 / K SEINO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 末松 憲治 / N SUEMATSU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高木 直 / T YAKAGI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/12/19 |
| 資料番号 | MW2003-216 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 534 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |