| 講演名 | 2003/11/11 広帯域高効率C帯内部整合FET(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般) 大塚 浩志, 森 一富, 湯川 秀憲, 南出 啓信, 橘高 義典, 角田 聡泰, 小倉 恵, 高木 直, |
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| 抄録(和) | C帯において広帯域に高効率な特性を有する内部整合FETを開発したので報告する。大信号モデルを用いて,高精度に基本波(fo),二倍波(2fo)の最適インピーダンスを求め,広帯域に最適インピーダンスに整合することにより,広帯域に高効率な特性を実現した。基本となる大信号モデルには, I-V特性が良く一致するAngelovモデルを採用した。ゲート幅の小さい単位セルFETに対して抽出したモデルより,ビアホールの共通化によるソースインダクタンスの増加を考慮して,ゲート幅の大きい1チップFETに対するモデルを求めた。開発した内部整合FETは,帯域300MHzで効率65%以上と良好な特性を実現した。測定結果と計算結果はよく一致し,大信号モデルを用いた設計が有効であることを確認した。 |
| 抄録(英) | In this paper, we present a broad-band and high-efficiency C-band internally-matched FET. Optimum impedances at fundamental and second harmonic frequencies were accurately estimated from source- and load-pull simulation by using an accurate large signal FET model. The matching circuits were designed to realize the optimum impedances in a broad-band. The large signal FET model is based on Angelov model, which accurately predicts I-V characteristics of FETs. The model parameters were extracted for a unit cell FET with a small gate width. We scaled up the unit cell FET model to 1 chip FET model with a wide gate width, accounting for increase of source inductance by sharing via holes. The developed internally-matched FET has achieved power-added efficiency (PAE) of over 65 % across 300MHz bandwidth. It is confirmed that internally-matched FETs can be effectively designed by using the large signal FET model. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / 増幅器 / 大信号モデル / 内部整合FET |
| キーワード(英) | microwave / amplifier / large signal model / internally-matched FET |
| 資料番号 | NW2003-205 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2003/11/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 広帯域高効率C帯内部整合FET(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Broad-Band High-Efficiency C-Band Internally-Matched FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 大信号モデル / large signal model |
| キーワード(4)（和/英） | 内部整合FET / internally-matched FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大塚 浩志 / H. Ohtsuka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / K. Mori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 湯川 秀憲 / H. Yukawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 南出 啓信 / Y. Minamide |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 橘高 義典 / Y. Kittaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 角田 聡泰 / T. Tsunoda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小倉 恵 / S. Ogura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高木 直 / T. Takagi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/11/11 |
| 資料番号 | NW2003-205 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 439 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |