| 講演名 | 2003/11/11 SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般) 増田 徹, 白水 信弘, 大畠 賢一, 渡邊 圭紀, 原田 卓, 菊地 広, 鷲尾 勝由, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 43 Gb/s MUX ICモジュール向けの高速かつ低ジッタ特性を有する出力回路を設計し、試作評価を行った。伝送信号の品質を決めるジッタのうち回路構成で決まる確定的ジッタを低減するため、出力回路におけるリンギング現象の解析を行った。解析を基に出力回路中の差動増幅回路のエミッタ抵抗の最適値を求める手法を導き、低ジッタと短い立上り/立下がり(Tr/Tf)時間の両立を図った。0.18μm SiGe HBTプロセスを用いて16:1 MUX ICを試作し、モジュール実装後の出力波形を評価した結果,Tr/Tf = 11 ps /11 ps、ジッタ = 1.3 psの良好な波形が得られ、提案手法が十分な精度で適用できることを確認した。 |
| 抄録(英) | A high-speed low-jitter output-circuit for a 43-Gb/s MUX IC module was designed and tested. To reduce the jitter of the output waveform, the ringing shown in a waveform that leads to the deterministic jitter was analyzed. A methodology to find the optimal degeneration resistance in the output circuit was devised and used to obtain both small jitter and short rise time (Tr) and fall time (Tf). A good output waveform with Tr and Tf of 11 ps and total jitter of 1.3 ps is obtained, and is used to verify the impact of the proposed methodology. |
| キーワード(和) | MUX / 出力回路 / ジッタ / リンギング / 立上り時間 / 立下がり時間 |
| キーワード(英) | MUX / output circuit / jitter / ringing / rise time / fall time |
| 資料番号 | NW2003-204 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/11/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 43-Gb/s Low-jitter Output-circuit Design for a 16:1 MUX IC Module Based on SiGe HBT Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MUX / MUX |
| キーワード(2)（和/英） | 出力回路 / output circuit |
| キーワード(3)（和/英） | ジッタ / jitter |
| キーワード(4)（和/英） | リンギング / ringing |
| キーワード(5)（和/英） | 立上り時間 / rise time |
| キーワード(6)（和/英） | 立下がり時間 / fall time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 徹 / T. Masuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 白水 信弘 / N. Shiramizu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大畠 賢一 / K. Ohhata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサス北日本セミコンダクタ Renesas Northern Japan Semiconductor, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邊 圭紀 / K. Watanabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原田 卓 / T. Harada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 菊地 広 / H. Kikuchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 鷲尾 勝由 / K. Washio |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/11/11 |
| 資料番号 | NW2003-204 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 439 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |