| 講演名 | 2003/11/11 直接接触型GCPW MEMSスイッチ(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般) 宮口 賢一, 吉田 幸久, 西野 有, 半谷 政毅, 檜枝 護重, 宮崎 守泰, 高木 直, 石田 修己, |
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| 抄録(和) | 高周波特性が基板の抵抗率に依存しないMEMSスイッチを提案する。本スイッチの構造は,片面微細加工技術により形成されたキャビティ底面上のグランドメタルと,空間を介して設けられたSiN膜上の信号線及びグランドメタルから構成されるメンブレインとから成るグランデッドコプレーナである。静電力により,メンブレインがキャビティ底面方向に変位し,信号線がグランドメタルに直接接触することによりオフ状態となる。試作により、2GHzにおいて通過損失0.43dB,アイソレーション21dBの良好な特性を実現し,本構造の妥当性を確認した。 |
| 抄録(英) | A grounded co-planar waveguide (GCPW) MEMS switch is presented. The proposed switch has a movable SiN membrane with a signal line and ground lines above a dielectric-air-metal (DAM) cavity on which a ground metal is patterned, resulting in a structure of GCPW transmission line. The electrostatic force makes an RF short path to the ground metal on the bottom of the DAM cavity with metal-to-metal contact. The ground metal which covers silicon substrate makes the switch to be on a low-resistivity silicon substrate. The measured results of the switch validate the proposed structure of the switches utilizing the DAM cavity. |
| キーワード(和) | Microelectromechanical System / MEMS / スイッチ / GCPW |
| キーワード(英) | Microelectromechanical System / MEMS / Switch / GCPW |
| 資料番号 | NW2003-203 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2003/11/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直接接触型GCPW MEMSスイッチ(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Metal-Contact Type Grounded Co-Planar Waveguide MEMS Switch |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Microelectromechanical System / Microelectromechanical System |
| キーワード(2)（和/英） | MEMS / MEMS |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチ / Switch |
| キーワード(4)（和/英） | GCPW / GCPW |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮口 賢一 / Kenichi MIYAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 幸久 / Yukihisa YOSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西野 有 / Tamotsu NISHINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 半谷 政毅 / Masatake HANGAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 檜枝 護重 / Morishige HIEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮崎 守泰 / Moriyasu MIYAZAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高木 直 / Tadashi TAKAGI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 石田 修己 / Osami ISHlDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/11/11 |
| 資料番号 | NW2003-203 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 439 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |