| 講演名 | 2003/10/13 ゲート電圧制御によるDROの発振周波数の温度補償 津留 正臣, 川上 憲司, 田島 賢一, 水口 毅, 宮崎 守泰, |
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| 抄録(和) | 誘電体共振器装荷発振器(DRO)は一般に,発振周波数の温度依存性が小さい特徴を有するが,より高い温度安定性を得るためには,温度補償回路が必要となる.ここでは,DROの発振素子であるFETのゲート電圧を制御して,温度による変化が単峰特性となる発振周波数を温度補償する方式を提案し,発振周波数を安定化したDROの設計・試作結果について述べる.通常,DROの発振周波数はDRの温度特性のために,温度に対して単峰特性となる.ゲート電圧制御に,抵抗とサーミスタを組み合わせた構成を用いることで,この単峰特性に対して温度補償を可能にしている.Ku帯でDROを試作し,温度範囲-45℃～+85℃において,発振周波数の温度による変化が55ppm以内(0.5ppm/℃以内)に抑制されることを示し,本方式の有効性を確認する.さらに,単電源化の検討を行い,自己バイアス抵抗とゲート電圧制御による温度補償が可能な発振周波数の範囲との関係を示す. |
| 抄録(英) | In general, an oscillation frequency of dielectric resonator oscillator (DRO) is stability for temperature. In order to get higher stabilization of the oscillation frequency of DRO, the compensation-circuit is needed. This paper presents a temperature-frequency stabilization technique for DRO by gate-bias control of FET used as active device, The temperature characteristic of the oscillation frequency is single-peak characteristic. The reason why the temperature characteristic of the oscillation frequency of DRO is single-peak characteristic is a temperature characteristic of the resonant frequency of DR is nop-linear. By connecting the compensation-circuit with resists and thermistors only to gate, the oscillation frequency of DRO is stabilized. The measurement result of the developed DRO in Ku-band achieves the frequency stability of less than 55ppm (less than 0.5ppm/℃) over -45℃ to +85℃. Additionally, in case of self-bias condition, we lead a relation with a self-bias resistance to frequency bandwidth that can be stabilized by gate-bias control. |
| キーワード(和) | 誘電体共振器装荷発振器 / ゲート電圧制御 / 温度補償 |
| キーワード(英) | DRO / Gate-bias Control / Temperature-Compensation |
| 資料番号 | EMCJ2003-74,MW2003-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
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| 開催期間 | 2003/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromagnetic Compatibility (EMCJ) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート電圧制御によるDROの発振周波数の温度補償 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature-frequency Stabilization technique for Dielectric Resonator Oscillator by Gate-bias control |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 誘電体共振器装荷発振器 / DRO |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート電圧制御 / Gate-bias Control |
| キーワード(3)（和/英） | 温度補償 / Temperature-Compensation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 津留 正臣 / Masaomi TSURU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D center. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川上 憲司 / Kenji KAWAKAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D center. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田島 賢一 / Kenichi TAJIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D center. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水口 毅 / Tsuyoshi MIZUGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Commurtication Systems Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮崎 守泰 / Moriyasu MIYAZAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Information Technology R&D center. Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/10/13 |
| 資料番号 | EMCJ2003-74,MW2003-171 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 369 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |