| 講演名 | 2003/10/13 ベース電圧自己補償形定電圧バイアス回路内蔵5.8GHz帯SiGe HBT送信用増幅器 新庄 真太郎, 菅野 孝之, 上田 博民, 森 一富, 中西 雅彦, 井上 雅博, 末松 憲治, |
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| 抄録(和) | 高出力電力時に自動的にベース電圧を過補償するベース電圧自己補償形定電圧バイアス回路を内蔵した5.8GHz帯SiGe HBT3段送信用増幅器を示す.本バイアス回路を増幅器に適用することにより,低アイドル電流動作時のP_<1dB>を改善することができる.また,定電圧バイアス回路にpnpカレントミラー回路を付加した小形な構成であるため,MMICへの内蔵が容易であり送受信システムチップ化に適している.計算の結果,定電圧バイアス回路を用いた送信用増幅器と比較し,同アイドル電流動作時のP1おが1.7dB改善された.試作の結果,22.2mAのアイドル電流動作時にP1dB=15.3dBm,Gain=19.6dBを得た. |
| 抄録(英) | A 5.8GHz high P1dB and low quiescent SiGe HBT three-stage power amplifier (PA) MMIC using a self base bias control circuit is described. The self base bias control circuits are applied to the second and the final stage PA's, and automatically control the base current/voltage according to the output power level. As a result, high P1dB is obtained at a low quiescent current condition. The simulated results show that the proposed threestage PA MMIC achieves P1dB improvement of 1.7dB compared with a conventional PA using a constant base voltage bias circuit at the same quiescent current condition. The fabricated PA MMIC achieves P1dB of 15.3dBm, gain of 19.6dB with the quiescent current of 22.2mA at 5.8GHz. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / 送信用増幅器 / バイアス回路 |
| キーワード(英) | Microwave / Power Amplifier / Bias Circuit |
| 資料番号 | EMCJ2003-73,MW2003-170 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
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| 開催期間 | 2003/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromagnetic Compatibility (EMCJ) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ベース電圧自己補償形定電圧バイアス回路内蔵5.8GHz帯SiGe HBT送信用増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High P_<1dB> and Low Quiescent Current SiGe HBT Power Amplifier MMIC Using Self BaSe Bias Control Circuit for 5.8GHz ETC Terminals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 送信用増幅器 / Power Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | バイアス回路 / Bias Circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅野 孝之 / Takayuki Sugano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上田 博民 / Hiroomi Ueda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / Kazutomi Mori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中西 雅彦 / Masahiko Nakanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 高周波光素子事業統括部 High Frequency & Optical Semiconductor Business Division |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井上 雅博 / Masahiro Inoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機エンジニアリング株式会社 Mitsubishi Electric Engineering Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 末松 憲治 / Noriharu Suematsu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/10/13 |
| 資料番号 | EMCJ2003-73,MW2003-170 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 369 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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