講演名 2004/1/9
強磁性ホール効果による二層垂直磁気記録媒体の評価(画像記録装置及び一般)
ダス サラバヌ, 小林 友貴, 中川 茂樹,
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抄録(和) 記録層及び裏打ち軟磁性層からなる二層垂直磁気記録媒体における両層の特性分離及び独立な評価には強磁性ホール効果の応用は有効である.本研究では中間層の有無あるいは中間居の種類を変えた際のCoCrPt(50nm)記録層及びNiFe(100 nm)の層の特性を両層が示す磁界に対するホール電圧の異なる対称性を利用することにより調べた.斜め磁界磁界中での評価においてはPtあるいはSi中間層の有無に依存した記録層の特性に明らかな違いが検出され,二層の状態で記録層内部の磁気異方性定数の見積もり等の可能性も示された.また高磁界及び低磁界領域での磁気特性評価によりNiFe層内部の磁化機構についても調べた.
抄録(英) Ferromagnetic Hall effect measurement was found to be effective to evaluate the properties of a recording layer(RL) and a soft magnetic underlayer (SUL) individually in a double-layered perpendicular recording media. In this study, properties of a CoCrPt(50 nm) RL and a NiFe (100 nm) SUL with or without an intermediate layer (IL) have been investigate using the different symmetric Hall voltage properties exhibited by these layers. Obvious differences in the magnetic properties of RL were detected in the study of specimens with or without an IL of Pt or Si under the tilted magnetic field. Evaluation of anisotropy constants of RL in the double-layered structure was shown to be possible to estimate from these results. Magnetization process in the NiFe layer was also studied evaluating the magnetic properties in the high and low applied field region.
キーワード(和) 強磁性ホール効果 / 異常ホール効果 / 面内ホール効果 / 磁化成分
キーワード(英) Ferromagnetic Hall effect / Anomalous Hall effect / Planar Hall effect / magnetization component
資料番号 MR2003-46
発行日

研究会情報
研究会 MR
開催期間 2004/1/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Magnetic Recording (MR)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 強磁性ホール効果による二層垂直磁気記録媒体の評価(画像記録装置及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Evaluation of double-layered perpendicular magnetic recording media using ferromagnetic Hall effect
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 強磁性ホール効果 / Ferromagnetic Hall effect
キーワード(2)(和/英) 異常ホール効果 / Anomalous Hall effect
キーワード(3)(和/英) 面内ホール効果 / Planar Hall effect
キーワード(4)(和/英) 磁化成分 / magnetization component
第 1 著者 氏名(和/英) ダス サラバヌ / Sarbanoo Das
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学電子物理工学専攻
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 小林 友貴 / Tomoki Kobayashi
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学電子物理工学専攻
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学電子物理工学専攻
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2004/1/9
資料番号 MR2003-46
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 555
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日