| 講演名 | 2003/6/6 [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般) 喜々津 哲, 前田 知幸, 甲斐 正, 秋山 純一, 永瀬 俊彦, 岸 達也, |
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| 抄録(和) | スパッタ法で作成したfcc-FePt薄膜のfct相転移温度はCuの添加により低減する.このメカニズムは,FePtCu規則相の形成によって相転移のドライビングフォースが増加したことによるものと考えられる.このモデルの傍証を得るために,TEM-EDX,UPS,EXAFS分析によって腹中のCuの存在位置を調べた.その結果,Cuはfct構造のFeサイトに置換されて,上記のモデルで想定したFePtCuとなっている可能性が高いことがわかった.また,バンド計算によりFePtCuの磁気異方性エネルギー密度KuはFePtの約半分の6.1×10^7erg/cc程度であることが見積もられた. |
| 抄録(英) | It was found that the fcc-fct phase transformation temperature of sputtered FePt thin film was reduced by the addition of Cu element. Formation of FePtCu ternary ordered alloy might increase the driving force of the phase transformation and result in the reduction of fcc-fct transformation temperature. Chemical analyses such as TEM-EDX, UPS and EXAFS were performed to investigate the atomic position of Cu atom in the FePtCu film. The results indicated that the Cu atom was substituted for the Fe site of FePtCu fct phase as supposed in the above model. Magnetic anisotropy energy of FePtCu alloy was also estimated by the band calculation and found to be 6.1×10^7 erg/cc, that was about a half of that of FePt alloy. |
| キーワード(和) | 不規則相-規則相相転移 / Fe-Pt-Cu合金 / 高Ku材料 / 磁気記録媒体 |
| キーワード(英) | Disorder-Order Transformation / FePtCu Alloy / High Ku Material / Magnetic Recording Medium |
| 資料番号 | MR2003-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2003/6/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of fcc-fct Phase Transformation Temperature of the FePt Ordered Alloy Thin Film by Addition of Cu Element |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不規則相-規則相相転移 / Disorder-Order Transformation |
| キーワード(2)（和/英） | Fe-Pt-Cu合金 / FePtCu Alloy |
| キーワード(3)（和/英） | 高Ku材料 / High Ku Material |
| キーワード(4)（和/英） | 磁気記録媒体 / Magnetic Recording Medium |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 喜々津 哲 / Akira KIKITSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 知幸 / Tomoyuki MAEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 甲斐 正 / Tadashi Kai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 秋山 純一 / Jun-ichi AKIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 永瀬 俊彦 / Toshihiko NAGASE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岸 達也 / Tatsuya KISHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 2003/6/6 |
| 資料番号 | MR2003-12 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |