講演名 2004/7/16
可動誘電体を用いた一層構造導波管スロットアレーのビーム走査(光・電波ワークショップ)
武居 俊範, 桜井 仁夫, 広川 二郎, 安藤 真,
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抄録(和) 本報告ではミリ波で高利得でも高効率が見込まれる一層構造導波管スロットアレーの,給電導波管の給電窓間に可動誘電体を挿入し,放射導波管への分配位相を変化させてビームを走査する方法を提案する。厚さ方向に一様な構造であるため二次元有限要素法により解析した。比誘電率=2.8のポリカーボネートを用いて4GHz帯の直線導波管に位相器を設計・試作し,反射が-18.9dB以下で89.8度の位相変化が得られた。これを2つの給電窓間に配置した場合の実効的なビーム走査角は10.2度と想定される。同相給電アレーへの適用性を確認するため,給電導波管から3本の放射導波管を励振する一層構造導波管アレー電力分配器のモデルを12GHz帯で設計した結果,隣接放射導波管の間に約93度の位相差が得られ,約10度のビーム走査が実現できた。
抄録(英) This paper proposes a method to scan beam by using movable dielectrics placed between two coupling windows in the feed waveguide of single-layer slotted waveguide. At 4GHz band, phase change of 89.8 degree was obtained by this phase shifter with reflection kept below -18.9dB. This corresponds to beam-tiling of I 0.2 degree in co-phase fed single layer waveguide arrays. To confirm the applicability of this phase shifter in the feed waveguide of single-layer waveguide arrays, we design a 4-way power divider at 12GHz where two phase shifiers with movable dielectrics are accommodated between three coupling windows. Phase change of about 93 degree is obtained between adjacent radiation waveguides. This would result in the beam-tiling of about 10 degree in the arrays.
キーワード(和) 一層構造導波管スロットアレー / 可動誘電体 / ビーム走査 / 位相差
キーワード(英) single-layer slotted waveguide array / movable dielectric / beam scanning / phase shifter
資料番号 SAT2004-113
発行日

研究会情報
研究会 SAT
開催期間 2004/7/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Satellite Telecommunications (SAT)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 可動誘電体を用いた一層構造導波管スロットアレーのビーム走査(光・電波ワークショップ)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Beam scanning by movable dielectrics in single-layer slotted waveguide arrays
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 一層構造導波管スロットアレー / single-layer slotted waveguide array
キーワード(2)(和/英) 可動誘電体 / movable dielectric
キーワード(3)(和/英) ビーム走査 / beam scanning
キーワード(4)(和/英) 位相差 / phase shifter
第 1 著者 氏名(和/英) 武居 俊範 / Toshinori TAKESUE
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院電気電子工学専攻
Dept. Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 桜井 仁夫 / Kimio SAKURAI
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院電気電子工学専攻
Dept. Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 広川 二郎 / Jiro HIROKAWA
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院電気電子工学専攻
Dept. Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 安藤 真 / Makoto ANDO
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院電気電子工学専攻
Dept. Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2004/7/16
資料番号 SAT2004-113
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 206
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日