講演名 2004/4/9
有機不揮発性メモリー開発を目指したフッ素系鎖状分子の強誘電特性評価とその鎖長効果(有機EL, TFT,及び一般)
桑島 修一郎, 石田 謙司, 望月 和之, 野田 啓, 堀内 俊寿, 山田 啓文, 松重 和美,
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抄録(和) 有機強誘電体フツ化ビニリデン(VDF)オリゴマーにおいて、オリゴマー体の特徴を端的に表す分子鎖長を変化させ鎖長が強誘電物性に及ぼす効果について考察した。測定に用いた12、21および29量体すべてにおいて明瞭なD-Eビステリシス曲線が現れた。12および21量体の分極反転電流ピーク幅はいずれも狭く高結晶性の薄膜形成が示され、抗電界(Ec)は12量体の方が低く、鎖長の減少がEcの低下を促していることが示唆された。一方、29量体ではEcが102MV/mと最も低い値となったが、ピーク幅の増大および特に低い膜密度(1.75g/cm^3)から他の鎖長と比較して結晶性が低いことが予想された。これらの結果は鎖長の違いよる膜構造の変化が分極反転機構に大きく寄与することを示している。
抄録(英) Ferroelectric and structural properties of vinylidene fluoride (VDF) oligomer CF_3-(CH_2CF_2)_n-I (n=12, 21 and 29) thin films have been investigated with varying of molecular chain length which is one of the most important physical parameters on oligomeric materials. Each structural controlled VDF oligomer exhibits clear ferroelectric property. As for VDF (29), the coercive electric field decreases unlike in the case of VDF(12) and (21) and the polarization switching current peak against applied electric field becomes broader. Moreover, the critical angle of X-ray reflectivity measured for long chain oligomer (29) film was smaller value than the others. Therefore, it is suggested that the coercive electric field decrease due to low crystallinity of long chain oligomer film.
キーワード(和) VDFオリゴマー / D-Eヒステリシス / 分極反転 / 有機強誘導体 / X線反射率
キーワード(英) VDF oligomer / D-E hysteresis / polarization switching / organic ferroelectric material / X-ray reflectivity
資料番号 ED2004-14,SDM2004-14,OME2004-14
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2004/4/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 有機不揮発性メモリー開発を目指したフッ素系鎖状分子の強誘電特性評価とその鎖長効果(有機EL, TFT,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effect of Chain Length for Ferroelectric Vinylidene Fluoride Oligomer
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) VDFオリゴマー / VDF oligomer
キーワード(2)(和/英) D-Eヒステリシス / D-E hysteresis
キーワード(3)(和/英) 分極反転 / polarization switching
キーワード(4)(和/英) 有機強誘導体 / organic ferroelectric material
キーワード(5)(和/英) X線反射率 / X-ray reflectivity
第 1 著者 氏名(和/英) 桑島 修一郎 / Shuichiro KUWAJIMA
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学ナノテクノロジー総合支援プロジェクト
Nanotechnology Support Project, Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 石田 謙司 / Kenji ISHIDA
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 望月 和之 / Kazuyuki MOCHIZUKI
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 4 著者 氏名(和/英) 野田 啓 / Kei NODA
第 4 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 5 著者 氏名(和/英) 堀内 俊寿 / Toshihisa HORIUCHI
第 5 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 6 著者 氏名(和/英) 山田 啓文 / Hirofumi YAMADA
第 6 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 7 著者 氏名(和/英) 松重 和美 / Kazumi MATSUSHIGE
第 7 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
発表年月日 2004/4/9
資料番号 ED2004-14,SDM2004-14,OME2004-14
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 3
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日